Courant de court-circuit du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Courant de sortie = Transconductance*Tension grille-source
Iout = gm*Vgs
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Courant de sortie - (Mesuré en Ampère) - Le courant de sortie est le courant électrique qui circule à partir d'une borne de sortie de l'appareil. C'est la quantité de charge électrique traversant la sortie par unité de temps.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Transconductance: 0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens (Vérifiez la conversion ​ici)
Tension grille-source: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Iout = gm*Vgs --> 0.0005*4
Évaluer ... ...
Iout = 0.002
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.002 Ampère --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.002 Ampère <-- Courant de sortie
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Anshika Arya
Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur
Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

Actuel Calculatrices

Deuxième courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain 2 = Courant de polarisation CC/2-Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2*sqrt(1-(Signal d'entrée différentiel)^2/(4*Tension de surmultiplication^2))
Premier courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2*sqrt(1-Signal d'entrée différentiel^2/(4*Tension de surmultiplication^2))
Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2
Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication
​ LaTeX ​ Aller Courant de vidange = (Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication)*(Signal d'entrée différentiel/2)

Courant de court-circuit du MOSFET Formule

​LaTeX ​Aller
Courant de sortie = Transconductance*Tension grille-source
Iout = gm*Vgs

Comment protégez-vous un MOSFET d'un court-circuit?

La tension aux bornes de la résistance interne peut être détectée à l'aide d'un simple comparateur ou même d'un transistor, qui s'allume à une tension d'environ 0,5V. Vous pouvez ainsi éviter l'utilisation d'une résistance de détection (shunt), qui produit généralement une chute de tension supplémentaire indésirable. Le comparateur peut être surveillé par un microcontrôleur.

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