Formule utilisée
Réduction de tension de seuil de canal court = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentration d'accepteur*abs(2*Potentiel des surfaces))*Profondeur de jonction)/(Capacité d'oxyde par unité de surface*2*Longueur du canal)*((sqrt(1+(2*Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source)/Profondeur de jonction)-1)+(sqrt(1+(2*Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain)/Profondeur de jonction)-1))ΔVT0 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*NA*abs(2*Φs))*xj)/(Coxide*2*L)*((sqrt(1+(2*xdS)/xj)-1)+(sqrt(1+(2*xdD)/xj)-1))Cette formule utilise
3 Constantes,
2 Les fonctions,
8 Variables Constantes utilisées
[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide Valeur prise comme 8.85E-12
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
Fonctions utilisées
sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
abs - La valeur absolue d'un nombre correspond à sa distance par rapport à zéro sur la droite numérique. Il s'agit toujours d'une valeur positive, car elle représente la grandeur d'un nombre sans tenir compte de sa direction., abs(Number)
Variables utilisées
Réduction de tension de seuil de canal court -
(Mesuré en Volt) - La réduction de tension de seuil de canal court est définie comme une réduction de la tension de seuil du MOSFET en raison de l'effet de canal court.
Concentration d'accepteur -
(Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
Potentiel des surfaces -
(Mesuré en Volt) - Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.
Profondeur de jonction -
(Mesuré en Mètre) - La profondeur de jonction est définie comme la distance entre la surface d'un matériau semi-conducteur et le point où se produit un changement significatif dans la concentration d'atomes dopants.
Capacité d'oxyde par unité de surface -
(Mesuré en Farad par mètre carré) - La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.
Longueur du canal -
(Mesuré en Mètre) - La longueur du canal fait référence à la longueur physique du matériau semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.
Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source -
(Mesuré en Mètre) - La profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec source est définie comme la région autour d'une jonction pn où les porteurs de charge ont été épuisés en raison de la formation d'un champ électrique.
Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain -
(Mesuré en Mètre) - La profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec drain est définie comme l'extension de la région d'appauvrissement dans le matériau semi-conducteur près de la borne de drain.