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Courant de saturation des canaux courts VLSI Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI Conception VLSI analogique

✖La largeur du canal est définie comme la largeur physique du canal semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.ⓘ Largeur de canal [W_c]			+10% -10%
✖La vitesse de dérive des électrons de saturation est définie comme la vitesse maximale atteinte par les électrons dans un matériau semi-conducteur sous l’influence d’un champ électrique.ⓘ Vitesse de dérive des électrons de saturation [v_d(sat)]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.ⓘ Capacité d'oxyde par unité de surface [C_oxide]			+10% -10%
✖La tension drain-source de saturation est définie comme la tension aux bornes du drain et de la source d'un MOSFET lorsque le transistor fonctionne en mode saturation.ⓘ Tension de source de drain de saturation [V_Dsat]			+10% -10%

✖Le courant de saturation à canal court est défini comme le courant maximum qui peut traverser un transistor à canal court lorsqu'il est en mode saturation.ⓘ Courant de saturation des canaux courts VLSI [I_D(sat)]

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Formule

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Courant de saturation des canaux courts VLSI

Formule

I D(sat) = W c \cdot v d(sat) \cdot C oxide \cdot V Dsat

Exemple

527.25 µA = 2.5 μm \cdot 2e+7 cm/s \cdot 0.0703 μF/cm² \cdot 1.5 V

Calculatrice

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Courant de saturation des canaux courts VLSI Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de saturation des canaux courts = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*Capacité d'oxyde par unité de surface*Tension de source de drain de saturation
I_D(sat) = W_c*v_d(sat)*C_oxide*V_Dsat
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Courant de saturation des canaux courts - (Mesuré en Ampère) - Le courant de saturation à canal court est défini comme le courant maximum qui peut traverser un transistor à canal court lorsqu'il est en mode saturation.
Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal est définie comme la largeur physique du canal semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.
Vitesse de dérive des électrons de saturation - (Mesuré en Mètre par seconde) - La vitesse de dérive des électrons de saturation est définie comme la vitesse maximale atteinte par les électrons dans un matériau semi-conducteur sous l’influence d’un champ électrique.
Capacité d'oxyde par unité de surface - (Mesuré en Farad par mètre carré) - La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.
Tension de source de drain de saturation - (Mesuré en Volt) - La tension drain-source de saturation est définie comme la tension aux bornes du drain et de la source d'un MOSFET lorsque le transistor fonctionne en mode saturation.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur de canal: 2.5 Micromètre --> 2.5E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Vitesse de dérive des électrons de saturation: 20000000 Centimètre par seconde --> 200000 Mètre par seconde (Vérifiez la conversion ici)
Capacité d'oxyde par unité de surface: 0.0703 Microfarad par centimètre carré --> 0.000703 Farad par mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Tension de source de drain de saturation: 1.5 Volt --> 1.5 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_D(sat) = W_c*v_d(sat)*C_oxide*V_Dsat --> 2.5E-06*200000*0.000703*1.5

Évaluer ... ...

I_D(sat) = 0.00052725

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00052725 Ampère -->527.25 Microampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

527.25 Microampère <-- Courant de saturation des canaux courts

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Priyanka Patel

Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai (PEMD), Ahmedabad

Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Coefficient d'effet corporel

Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Coefficient DIBL

Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Charge de canal

Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension critique

Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal