Résistance de la feuille de couche Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance de feuille = 1/(Charge*Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N*Épaisseur de couche)
Rs = 1/(q*μn*Nd*t)
Cette formule utilise 5 Variables
Variables utilisées
Résistance de feuille - (Mesuré en Ohm) - La résistance de la feuille est la résistance d'une pièce carrée d'un matériau mince avec des contacts établis sur deux côtés opposés du carré.
Charge - (Mesuré en Coulomb) - Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.
Mobilité du silicium dopé électroniquement - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité du silicium par dopage électronique caractérise la rapidité avec laquelle un électron peut se déplacer à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu'il est attiré par un champ électrique.
Concentration d'équilibre de type N - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'équilibre de type N est égale à la densité des atomes donneurs car les électrons pour la conduction sont uniquement donnés par l'atome donneur.
Épaisseur de couche - (Mesuré en Mètre) - L'épaisseur de couche est souvent utilisée pour fabriquer des pièces moulées afin de garantir que la structure du mur est conçue avec juste la bonne quantité de matériau.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Charge: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Vérifiez la conversion ​ici)
Mobilité du silicium dopé électroniquement: 0.38 Centimètre carré par volt seconde --> 3.8E-05 Mètre carré par volt par seconde (Vérifiez la conversion ​ici)
Concentration d'équilibre de type N: 45 1 par centimètre cube --> 45000000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ​ici)
Épaisseur de couche: 100.5 Centimètre --> 1.005 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Rs = 1/(q*μn*Nd*t) --> 1/(0.005*3.8E-05*45000000*1.005)
Évaluer ... ...
Rs = 0.116377178435309
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.116377178435309 Ohm --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.116377178435309 0.116377 Ohm <-- Résistance de feuille
(Calcul effectué en 00.008 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Rahul Gupta
Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab
Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Parminder Singh
Université de Chandigarh (UC), Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

Fabrication de circuits intégrés bipolaires Calculatrices

Conductivité de type N
​ LaTeX ​ Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))
Conductivité ohmique des impuretés
​ LaTeX ​ Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)
Impureté à concentration intrinsèque
​ LaTeX ​ Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)
Tension de rupture de l'émetteur collecteur
​ LaTeX ​ Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Résistance de la feuille de couche Formule

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Résistance de feuille = 1/(Charge*Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N*Épaisseur de couche)
Rs = 1/(q*μn*Nd*t)
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