Tension de saturation du MOSFET Calculatrice

✖La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.ⓘ Tension grille-source [V_gs]			+10% -10%
✖La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.ⓘ Tension de seuil [V_th]			+10% -10%

✖La tension de saturation de drain et de source est la tension à laquelle le FET ne peut plus fonctionner en tant qu'amplificateur, et sa tension de sortie se fixe à une valeur maximale.ⓘ Tension de saturation du MOSFET [V_ds(s)]

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Tension de saturation du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil
V_ds(s) = V_gs-V_th
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Tension de saturation du drain et de la source - (Mesuré en Volt) - La tension de saturation de drain et de source est la tension à laquelle le FET ne peut plus fonctionner en tant qu'amplificateur, et sa tension de sortie se fixe à une valeur maximale.
Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension grille-source: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_ds(s) = V_gs-V_th --> 4-2.3

Évaluer ... ...

V_ds(s) = 1.7

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.7 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.7 Volt <-- Tension de saturation du drain et de la source

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Tension » Tension de saturation du MOSFET

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Tension Calculatrices

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

LaTeX Aller Tension de vidange Q1 = -Résistance de sortie*(Transconductance*Signal d'entrée en mode commun)/(1+(2*Transconductance*Résistance de sortie))

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

LaTeX Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

LaTeX Aller Tension de vidange Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

LaTeX Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

< Caractéristiques du MOSFET Calculatrices

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

LaTeX Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)

Gain de tension maximal au point de polarisation

LaTeX Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)

Gain de tension donné Tension de drain

LaTeX Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace

Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions

LaTeX Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Tension de saturation du MOSFET Formule

LaTeX Aller

Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil
V_ds(s) = V_gs-V_th

Quelle est la région de saturation du MOSFET?

Dans la région de saturation ou linéaire, le transistor sera polarisé de sorte que la quantité maximale de tension de grille soit appliquée au dispositif, ce qui se traduit par la résistance de canal RDS (étant aussi petite que possible avec un courant de drain maximum traversant le commutateur MOSFET.

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