Tension de saturation de l'IGBT Calculatrice

✖Tension de l'émetteur de base PNP IGBT. Un IGBT est un dispositif hybride qui combine les avantages d'un MOSFET et d'un BJT.ⓘ Tension de l'émetteur de base PNP IGBT [V_{B-E(pnp)(igbt)}]			+10% -10%
✖Le courant de drain (IGBT) est le courant qui traverse la jonction de drain du MOSFET et de l'IGBT.ⓘ Courant de drain (IGBT) [I_d(igbt)]			+10% -10%
✖Résistance de conductivité L'IGBT est la résistance lorsqu'un IGBT est allumé et conduit le courant.ⓘ Résistance à la conductivité IGBT [R_s(igbt)]			+10% -10%
✖La résistance du canal N (IGBT) est la résistance du matériau semi-conducteur dans l'appareil lorsque l'IGBT est allumé.ⓘ Résistance du canal N (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%

✖La tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) d'un transistor bipolaire à grille isolée est la chute de tension aux bornes de l'IGBT lorsqu'il est allumé et conduit le courant.ⓘ Tension de saturation de l'IGBT [V_{c-e(sat)(igbt)}]

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Tension de saturation de l'IGBT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) = Tension de l'émetteur de base PNP IGBT+Courant de drain (IGBT)*(Résistance à la conductivité IGBT+Résistance du canal N (IGBT))
V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt))
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) - (Mesuré en Volt) - La tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) d'un transistor bipolaire à grille isolée est la chute de tension aux bornes de l'IGBT lorsqu'il est allumé et conduit le courant.
Tension de l'émetteur de base PNP IGBT - (Mesuré en Volt) - Tension de l'émetteur de base PNP IGBT. Un IGBT est un dispositif hybride qui combine les avantages d'un MOSFET et d'un BJT.
Courant de drain (IGBT) - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain (IGBT) est le courant qui traverse la jonction de drain du MOSFET et de l'IGBT.
Résistance à la conductivité IGBT - (Mesuré en Ohm) - Résistance de conductivité L'IGBT est la résistance lorsqu'un IGBT est allumé et conduit le courant.
Résistance du canal N (IGBT) - (Mesuré en Ohm) - La résistance du canal N (IGBT) est la résistance du matériau semi-conducteur dans l'appareil lorsque l'IGBT est allumé.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de l'émetteur de base PNP IGBT: 2.15 Volt --> 2.15 Volt Aucune conversion requise
Courant de drain (IGBT): 105 Milliampère --> 0.105 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Résistance à la conductivité IGBT: 1.03 Kilohm --> 1030 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance du canal N (IGBT): 10.59 Kilohm --> 10590 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt)) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Évaluer ... ...

V_{c-e(sat)(igbt)} = 1222.25

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1222.25 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1222.25 Volt <-- Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT)

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

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Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON

LaTeX Aller Chute de tension sur scène (IGBT) = Courant direct (IGBT)*Résistance du canal N (IGBT)+Courant direct (IGBT)*Résistance à la dérive (IGBT)+Tension Pn Jonction 1 (IGBT)

Temps d'arrêt de l'IGBT

LaTeX Aller Heure d'arrêt (IGBT) = Temps de retard (IGBT)+Temps de chute initial (IGBT)+Heure de chute finale (IGBT)

Capacité d'entrée de l'IGBT

LaTeX Aller Capacité d'entrée (IGBT) = Capacité porte-émetteur (IGBT)+Capacité porte à collecteur (IGBT)

Courant émetteur de l'IGBT

LaTeX Aller Courant d'émetteur (IGBT) = Courant de trou (IGBT)+Courant électronique (IGBT)