Temps de saturation Calculatrice

Temps de saturation = -2*Capacité de charge/(Paramètre de processus de transconductance*(Tension de sortie élevée-Tension de seuil)^2)*int(1,x,Tension de sortie élevée,Tension de sortie élevée-Tension de seuil)
T_sat = -2*C_load/(k_n*(V_OH-V_T)^2)*int(1,x,V_OH,V_OH-V_T)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables
int - L'intégrale définie peut être utilisée pour calculer l'aire nette signée, qui est l'aire au-dessus de l'axe des x moins l'aire en dessous de l'axe des x., int(expr, arg, from, to)Temps de saturation - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de saturation est le temps nécessaire à la tension de sortie d'un MOSFET pour atteindre un niveau spécifié (V
Capacité de charge - (Mesuré en Farad) - La capacité de charge est la capacité totale connectée à la borne de sortie du transistor, y compris les composants externes et la propre capacité parasite du MOSFET.
Paramètre de processus de transconductance - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de processus de transconductance est une constante spécifique à l'appareil qui caractérise la capacité du transistor à convertir une modification de la tension de grille en une modification du courant de sortie.
Tension de sortie élevée - (Mesuré en Volt) - La tension de sortie élevée est le niveau de tension maximum que le transistor peut atteindre à sa borne de sortie lorsqu'il est complètement activé (fonctionnant en saturation).
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil est la tension grille-source minimale requise dans un MOSFET pour l'activer et permettre à un courant important de circuler.

(Calcul effectué en 00.020 secondes)