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Courant de saturation dans le transistor Calculatrice

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✖Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.ⓘ Charge [q]			+10% -10%
✖La zone de jonction de base de l'émetteur est une jonction PN formée entre le matériau de type P fortement dopé (émetteur) et le matériau de type N légèrement dopé (base) du transistor.ⓘ Zone de jonction de la base de l'émetteur [A]			+10% -10%
✖La diffusion effective est un paramètre lié au processus de diffusion des porteurs et est influencée par les propriétés du matériau et la géométrie de la jonction semi-conductrice.ⓘ Diffusion efficace [D_n]			+10% -10%
✖La concentration intrinsèque est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.ⓘ Concentration intrinsèque [n_i]			+10% -10%
✖L'impureté totale définit les impuretés qui sont mélangées à un atome par unité de surface dans une base ou la quantité d'impureté ajoutée à un semi-conducteur intrinsèque fait varier son niveau de conductivité.ⓘ Impureté totale [Q_b]			+10% -10%

✖Le courant de saturation fait référence au courant maximum qui peut traverser le transistor lorsqu'il est complètement activé.ⓘ Courant de saturation dans le transistor [I_sat]

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Courant de saturation dans le transistor Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de saturation = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Diffusion efficace*Concentration intrinsèque^2)/Impureté totale
I_sat = (q*A*D_n*n_i^2)/Q_b
Cette formule utilise 6 Variables

Variables utilisées

Courant de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de saturation fait référence au courant maximum qui peut traverser le transistor lorsqu'il est complètement activé.
Charge - (Mesuré en Coulomb) - Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.
Zone de jonction de la base de l'émetteur - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction de base de l'émetteur est une jonction PN formée entre le matériau de type P fortement dopé (émetteur) et le matériau de type N légèrement dopé (base) du transistor.
Diffusion efficace - La diffusion effective est un paramètre lié au processus de diffusion des porteurs et est influencée par les propriétés du matériau et la géométrie de la jonction semi-conductrice.
Concentration intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration intrinsèque est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.
Impureté totale - (Mesuré en Mètre carré) - L'impureté totale définit les impuretés qui sont mélangées à un atome par unité de surface dans une base ou la quantité d'impureté ajoutée à un semi-conducteur intrinsèque fait varier son niveau de conductivité.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Charge: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Vérifiez la conversion ici)
Zone de jonction de la base de l'émetteur: 1.75 place Centimètre --> 0.000175 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Diffusion efficace: 0.5 --> Aucune conversion requise
Concentration intrinsèque: 1.32 1 par centimètre cube --> 1320000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Impureté totale: 3600000000 place Centimètre --> 360000 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_sat = (q*A*D_n*n_i^2)/Q_b --> (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000

Évaluer ... ...

I_sat = 2.1175

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.1175 Ampère --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

2.1175 Ampère <-- Courant de saturation

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Rahul Gupta

Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab

Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Ritwik Tripathi

Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore

Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

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Conductivité de type N

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Impureté à concentration intrinsèque

LaTeX Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

LaTeX Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Courant de saturation dans le transistor Formule

LaTeX Aller

Courant de saturation = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Diffusion efficace*Concentration intrinsèque^2)/Impureté totale
I_sat = (q*A*D_n*n_i^2)/Q_b

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