Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS Calculatrice

✖La tension de seuil de polarisation nulle fait référence à la tension de seuil d'un MOSFET lorsqu'aucune tension de polarisation supplémentaire n'est appliquée au substrat, généralement mesurée entre la grille et la source.ⓘ Tension de seuil de polarisation nulle [V_T0]			+10% -10%
✖La transconductance du NMOS fait référence au rapport entre la variation du courant de drain de sortie et la variation de la tension grille-source d'entrée lorsque la tension drain-source est constante.ⓘ Transconductance du NMOS [K_n]			+10% -10%
✖La résistance de charge est la résistance présentée par la charge externe connectée à un circuit, déterminant la quantité de courant consommé et influençant la tension et la distribution de puissance du circuit.ⓘ Résistance à la charge [R_L]			+10% -10%

✖Tension d'entrée maximale de charge résistive CMOS pour une charge résistive en CMOS fait référence au niveau de tension le plus élevé qui peut être appliqué à la borne d'entrée d'un dispositif CMOS sans causer de dommages.ⓘ Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS [V_IL(RL)]

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Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS = Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))
V_IL(RL) = V_T0+(1/(K_n*R_L))
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS - (Mesuré en Volt) - Tension d'entrée maximale de charge résistive CMOS pour une charge résistive en CMOS fait référence au niveau de tension le plus élevé qui peut être appliqué à la borne d'entrée d'un dispositif CMOS sans causer de dommages.
Tension de seuil de polarisation nulle - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil de polarisation nulle fait référence à la tension de seuil d'un MOSFET lorsqu'aucune tension de polarisation supplémentaire n'est appliquée au substrat, généralement mesurée entre la grille et la source.
Transconductance du NMOS - (Mesuré en Ampère par volt carré) - La transconductance du NMOS fait référence au rapport entre la variation du courant de drain de sortie et la variation de la tension grille-source d'entrée lorsque la tension drain-source est constante.
Résistance à la charge - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge est la résistance présentée par la charge externe connectée à un circuit, déterminant la quantité de courant consommé et influençant la tension et la distribution de puissance du circuit.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil de polarisation nulle: 1.4 Volt --> 1.4 Volt Aucune conversion requise
Transconductance du NMOS: 200 Microampère par volt carré --> 0.0002 Ampère par volt carré (Vérifiez la conversion ici)
Résistance à la charge: 2 mégohm --> 2000000 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_IL(RL) = V_T0+(1/(K_n*R_L)) --> 1.4+(1/(0.0002*2000000))

Évaluer ... ...

V_IL(RL) = 1.4025

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.4025 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.4025 Volt <-- Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Priyanka Patel

Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai (PEMD), Ahmedabad

Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Tension d'entrée maximale CMOS

LaTeX Aller Tension d'entrée maximale CMOS = (2*Tension de sortie pour entrée maximale+(Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle)-Tension d'alimentation+Rapport de transconductance*Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle)/(1+Rapport de transconductance)

Tension de seuil CMOS

LaTeX Aller Tension de seuil = (Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle+sqrt(1/Rapport de transconductance)*(Tension d'alimentation+(Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle)))/(1+sqrt(1/Rapport de transconductance))

Tension d'entrée maximale pour CMOS symétrique

LaTeX Aller CMOS symétrique de tension d'entrée maximale = (3*Tension d'alimentation+2*Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle)/8

Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé

LaTeX Aller Marge de bruit pour un signal élevé = Tension de sortie maximale-Tension d'entrée minimale

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS Formule

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Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS = Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))
V_IL(RL) = V_T0+(1/(K_n*R_L))

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