Réduisez le courant dans la région de saturation Calculatrice

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MOSFET BJT

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Transistors MOS Actuel Amélioration du canal N Amélioration du canal P Analyse des petits signaux Biais Caractéristiques du MOSFET Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Facteur d'amplification ou gain Rapport de réjection en mode commun (CMRR)Résistance Tension Transconductance

✖Le nombre de transistors pilotes parallèles fait référence au nombre de transistors pilotes parallèles dans le circuit.ⓘ Nombre de transistors à pilote parallèle [n]			+10% -10%
✖La mobilité électronique dans le MOSFET décrit la facilité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le canal, affectant directement le flux de courant pour une tension donnée.ⓘ Mobilité électronique [μ_n]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%
✖La largeur du canal représente la largeur du canal conducteur dans un MOSFET, affectant directement la quantité de courant qu'il peut gérer.ⓘ Largeur de canal [W]			+10% -10%
✖La longueur du canal dans un MOSFET est la distance entre les régions de source et de drain, déterminant la facilité avec laquelle le courant circule et ayant un impact sur les performances du transistor.ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%
✖La tension de source de grille est la tension appliquée entre les bornes de grille et de source d'un MOSFET.ⓘ Tension de source de porte [V_GS]			+10% -10%
✖La tension de seuil est la tension grille-source minimale requise dans un MOSFET pour l'activer et permettre à un courant important de circuler.ⓘ Tension de seuil [V_T]			+10% -10%

✖Le courant de rappel de la région de saturation est le courant traversant la résistance lorsqu'une résistance de rappel est utilisée avec un MOSFET à canal N en mode saturation.ⓘ Réduisez le courant dans la région de saturation [I_D(sat)]

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Formule

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Réduisez le courant dans la région de saturation

Formule

I D(sat) = \sum (x, 0, n, (μ n \cdot \frac{C ox}{2}) \cdot (\frac{W}{L}) \cdot {(V GS - V T)}^{2})

Exemple

101550.1 A = \sum (x, 0, 11, (9.92 m²/V*s \cdot \frac{3.9 F}{2}) \cdot (\frac{2.678 m}{3.45 m}) \cdot {(29.65 V - 5.91 V)}^{2})

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Réduisez le courant dans la région de saturation Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de réduction de la région de saturation = sum(x,0,Nombre de transistors à pilote parallèle,(Mobilité électronique*Capacité d'oxyde/2)*(Largeur de canal/Longueur du canal)*(Tension de source de porte-Tension de seuil)^2)
I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 8 Variables

Fonctions utilisées

sum - La notation sommation ou sigma (∑) est une méthode utilisée pour écrire une longue somme de manière concise., sum(i, from, to, expr)

Variables utilisées

Courant de réduction de la région de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de rappel de la région de saturation est le courant traversant la résistance lorsqu'une résistance de rappel est utilisée avec un MOSFET à canal N en mode saturation.
Nombre de transistors à pilote parallèle - Le nombre de transistors pilotes parallèles fait référence au nombre de transistors pilotes parallèles dans le circuit.
Mobilité électronique - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité électronique dans le MOSFET décrit la facilité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le canal, affectant directement le flux de courant pour une tension donnée.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.
Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal représente la largeur du canal conducteur dans un MOSFET, affectant directement la quantité de courant qu'il peut gérer.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal dans un MOSFET est la distance entre les régions de source et de drain, déterminant la facilité avec laquelle le courant circule et ayant un impact sur les performances du transistor.
Tension de source de porte - (Mesuré en Volt) - La tension de source de grille est la tension appliquée entre les bornes de grille et de source d'un MOSFET.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil est la tension grille-source minimale requise dans un MOSFET pour l'activer et permettre à un courant important de circuler.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Nombre de transistors à pilote parallèle: 11 --> Aucune conversion requise
Mobilité électronique: 9.92 Mètre carré par volt par seconde --> 9.92 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Capacité d'oxyde: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Aucune conversion requise
Largeur de canal: 2.678 Mètre --> 2.678 Mètre Aucune conversion requise
Longueur du canal: 3.45 Mètre --> 3.45 Mètre Aucune conversion requise
Tension de source de porte: 29.65 Volt --> 29.65 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2)

Évaluer ... ...

I_D(sat) = 101550.118939559

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

101550.118939559 Ampère --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

101550.118939559 ≈ 101550.1 Ampère <-- Courant de réduction de la région de saturation

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Vignesh Naidu

Institut de technologie de Vellore (VIT), Vellore,Tamil Nadu

Vignesh Naidu a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 5 Transistors MOS Calculatrices

Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Aller Facteur d’équivalence de tension des parois latérales = -(2*sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)/(Tension finale-Tension initiale)*(sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension finale)-sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension initiale)))

Potentiel de Fermi pour le type P

Aller Potentiel de Fermi pour le type P = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration intrinsèque de porteurs/Concentration dopante de l'accepteur)

Potentiel de Fermi pour le type N

Aller Potentiel de Fermi pour le type N = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration de dopant du donneur/Concentration intrinsèque de porteurs)

Capacité équivalente à grande jonction de signal

Aller Capacité équivalente à grande jonction de signal = Périmètre du flanc*Capacité de jonction des parois latérales*Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur

Aller Capacité de jonction des parois latérales = Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation*Profondeur du flanc

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