PPCM de deux nombres

Temps de propagation Calculatrice

Ingénierie Chimie Financier La physique Plus >>

↳

Électronique Civil Électrique Electronique et instrumentation Plus >>

⤿

Circuits intégrés (CI)Amplificateurs Antenne et propagation des ondes Appareils optoélectroniques Plus >>

⤿

Fabrication de circuits intégrés MOS Déclencheur Schmitt Fabrication de circuits intégrés bipolaires

✖Le nombre de transistors de passage est le nombre de transistors utilisés pour transférer des signaux d'une partie du circuit à une autre.ⓘ Nombre de transistors passants [N]			+10% -10%
✖La résistance dans le MOSFET fait référence à l'opposition à la circulation du courant dans le circuit.ⓘ Résistance dans MOSFET [R_m]			+10% -10%
✖La capacité de charge fait référence à la capacité totale qu'un appareil voit à sa sortie, généralement due à la capacité des charges connectées et aux traces sur une carte de circuit imprimé (PCB).ⓘ Capacité de charge [C_l]			+10% -10%

✖Le temps de propagation fait référence au temps nécessaire à un signal pour se propager à travers le transistor, de l'entrée à la sortie.ⓘ Temps de propagation [T_p]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Temps de propagation

Formule

T p = 0.7 \cdot N \cdot (\frac{N + 1}{2}) \cdot R m \cdot C l

Exemple

0.778203 s = 0.7 \cdot 13 \cdot (\frac{13 + 1}{2}) \cdot 542 Ω \cdot 22.54 μF

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Fabrication de circuits intégrés MOS Formules PDF PDF Image

Temps de propagation Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Temps de propagation = 0.7*Nombre de transistors passants*((Nombre de transistors passants+1)/2)*Résistance dans MOSFET*Capacité de charge
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Temps de propagation - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de propagation fait référence au temps nécessaire à un signal pour se propager à travers le transistor, de l'entrée à la sortie.
Nombre de transistors passants - Le nombre de transistors de passage est le nombre de transistors utilisés pour transférer des signaux d'une partie du circuit à une autre.
Résistance dans MOSFET - (Mesuré en Ohm) - La résistance dans le MOSFET fait référence à l'opposition à la circulation du courant dans le circuit.
Capacité de charge - (Mesuré en Farad) - La capacité de charge fait référence à la capacité totale qu'un appareil voit à sa sortie, généralement due à la capacité des charges connectées et aux traces sur une carte de circuit imprimé (PCB).

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Nombre de transistors passants: 13 --> Aucune conversion requise
Résistance dans MOSFET: 542 Ohm --> 542 Ohm Aucune conversion requise
Capacité de charge: 22.54 microfarades --> 2.254E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l --> 0.7*13*((13+1)/2)*542*2.254E-05

Évaluer ... ...

T_p = 0.778202516

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.778202516 Deuxième --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.778202516 ≈ 0.778203 Deuxième <-- Temps de propagation

(Calcul effectué en 00.014 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Circuits intégrés (CI) » Fabrication de circuits intégrés MOS » Temps de propagation

Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices

Effet corporel dans MOSFET

Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Résistance du canal

Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)

Temps de propagation Formule

Temps de propagation = 0.7*Nombre de transistors passants*((Nombre de transistors passants+1)/2)*Résistance dans MOSFET*Capacité de charge
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!