Paramètre de transconductance de processus du MOSFET Calculatrice

✖La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%
✖La tension de surmultiplication est un terme utilisé en électronique et fait référence au niveau de tension appliqué à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.ⓘ Tension de surmultiplication [V_ov]			+10% -10%

✖Le paramètre de transconductance est un paramètre crucial dans les appareils et circuits électroniques, qui aide à décrire et à quantifier la relation entrée-sortie entre la tension et le courant.ⓘ Paramètre de transconductance de processus du MOSFET [k_n]

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Paramètre de transconductance de processus du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Paramètre de transconductance = Transconductance/Tension de surmultiplication
k_n = g_m/V_ov
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Paramètre de transconductance - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance est un paramètre crucial dans les appareils et circuits électroniques, qui aide à décrire et à quantifier la relation entrée-sortie entre la tension et le courant.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Tension de surmultiplication - (Mesuré en Volt) - La tension de surmultiplication est un terme utilisé en électronique et fait référence au niveau de tension appliqué à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance: 0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Tension de surmultiplication: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

k_n = g_m/V_ov --> 0.0005/0.32

Évaluer ... ...

k_n = 0.0015625

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0015625 Ampère par volt carré --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.0015625 ≈ 0.001562 Ampère par volt carré <-- Paramètre de transconductance

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Transconductance Calculatrices

Transconductance donnée Process Transconductance Paramètre

LaTeX Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Transconductance donnée Courant de drain

LaTeX Aller Transconductance = sqrt(2*Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Courant de vidange)

Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge

LaTeX Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication

Drainer le courant à l'aide de la transconductance

LaTeX Aller Courant de vidange = (Tension de surmultiplication)*Transconductance/2

Paramètre de transconductance de processus du MOSFET Formule

LaTeX Aller

Paramètre de transconductance = Transconductance/Tension de surmultiplication
k_n = g_m/V_ov

À quoi sert un MOSFET?

Le transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est un dispositif semi-conducteur largement utilisé à des fins de commutation et pour l'amplification de signaux électroniques dans les appareils électroniques.

Quels sont les types de MOSFET?

Il existe deux classes de MOSFET. Il existe un mode d'épuisement et un mode d'amélioration. Chaque classe est disponible sous forme de canal n ou p, ce qui donne un total de quatre types de MOSFET. Le mode d'épuisement se présente sous la forme d'un N ou d'un P et un mode d'amélioration est d'un N ou d'un P.

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