PPCM de deux nombres

Potentiel du drain à la source Calculatrice

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Conception VLSI analogique Optimisation des matériaux VLSI

✖La tension de seuil dibl est définie comme la tension minimale requise par la jonction source du potentiel corporel, lorsque la source est au potentiel corporel.ⓘ Tension de seuil DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale requise pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%
✖Le coefficient DIBL dans un appareil cmos est généralement représenté de l'ordre de 0,1.ⓘ Coefficient DIBL [η]			+10% -10%

✖Le potentiel de drainage vers la source est le potentiel entre le drainage et la source.ⓘ Potentiel du drain à la source [V_ds]

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Potentiel du drain à la source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Potentiel de drainage vers la source = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Coefficient DIBL
V_ds = (V_t0-V_t)/η
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Potentiel de drainage vers la source - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de drainage vers la source est le potentiel entre le drainage et la source.
Tension de seuil DIBL - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil dibl est définie comme la tension minimale requise par la jonction source du potentiel corporel, lorsque la source est au potentiel corporel.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale requise pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Coefficient DIBL - Le coefficient DIBL dans un appareil cmos est généralement représenté de l'ordre de 0,1.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Aucune conversion requise
Coefficient DIBL: 0.2 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_ds = (V_t0-V_t)/η --> (0.59-0.3)/0.2

Évaluer ... ...

V_ds = 1.45

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.45 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.45 Volt <-- Potentiel de drainage vers la source

(Calcul effectué en 00.006 secondes)

Tu es là -

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Tension de vidange

LaTeX Aller Tension du collecteur de base = sqrt(Puissance dynamique/(Fréquence*Capacitance))

Capacité porte à base

LaTeX Aller Capacité porte à base = Capacité de porte-(Capacité porte à source+Capacité de la porte à drainer)

Tension de porte à canal

LaTeX Aller Tension porte à canal = (Frais de canal/Capacité de porte)+Tension de seuil

Porte vers le potentiel des collectionneurs

LaTeX Aller Tension porte à canal = (Potentiel porte à source+Porte pour drainer le potentiel)/2

Potentiel du drain à la source Formule

LaTeX Aller

Potentiel de drainage vers la source = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Coefficient DIBL
V_ds = (V_t0-V_t)/η

Qu'est-ce que la région d'appauvrissement ?

Lorsque la tension positive est transmise à travers la porte, elle fait que les trous libres (charge positive) sont repoussés ou repoussés de la région du substrat sous la porte. Lorsque ces trous sont poussés vers le bas du substrat, ils laissent derrière eux une région d'appauvrissement des porteurs.

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