Potentiel entre la source et le corps Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Différence potentielle du corps source = Potentiel des surfaces/(2*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque))
Vsb = Φs/(2*ln(NA/Ni))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 4 Variables
Fonctions utilisées
ln - Le logarithme naturel, également connu sous le nom de logarithme de base e, est la fonction inverse de la fonction exponentielle naturelle., ln(Number)
Variables utilisées
Différence potentielle du corps source - (Mesuré en Volt) - La différence de potentiel du corps source est calculée lorsqu'un potentiel appliqué de manière externe est égal à la somme de la chute de tension aux bornes de la couche d'oxyde et de la chute de tension aux bornes du semi-conducteur.
Potentiel des surfaces - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
Concentration intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration intrinsèque fait référence à la concentration de porteurs de charge (électrons et trous) dans un semi-conducteur intrinsèque à l'équilibre thermique.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Potentiel des surfaces: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Aucune conversion requise
Concentration d'accepteur: 1E+16 1 par centimètre cube --> 1E+22 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ​ici)
Concentration intrinsèque: 14500000000 1 par centimètre cube --> 1.45E+16 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Vsb = Φs/(2*ln(NA/Ni)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))
Évaluer ... ...
Vsb = 0.255133406849134
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.255133406849134 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.255133406849134 0.255133 Volt <-- Différence potentielle du corps source
(Calcul effectué en 00.016 secondes)

Crédits

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Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Conception VLSI analogique Calculatrices

Tension de vidange
​ LaTeX ​ Aller Tension du collecteur de base = sqrt(Puissance dynamique/(Fréquence*Capacitance))
Capacité porte à base
​ LaTeX ​ Aller Capacité porte à base = Capacité de porte-(Capacité porte à source+Capacité de la porte à drainer)
Tension de porte à canal
​ LaTeX ​ Aller Tension porte à canal = (Frais de canal/Capacité de porte)+Tension de seuil
Porte vers le potentiel des collectionneurs
​ LaTeX ​ Aller Tension porte à canal = (Potentiel porte à source+Porte pour drainer le potentiel)/2

Potentiel entre la source et le corps Formule

​LaTeX ​Aller
Différence potentielle du corps source = Potentiel des surfaces/(2*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque))
Vsb = Φs/(2*ln(NA/Ni))

Comment le corps affecte-t-il la tension de seuil ?

Les transistors sont un dispositif à quatre bornes. Ce sont la porte, la source, le drain et le corps. Lorsqu'une tension Vsb est appliquée entre la source et le corps, elle augmente la quantité de charge nécessaire pour inverser le canal, par conséquent, elle augmente la tension de seuil. L'effet de corps dégrade encore les performances des transistors de passage essayant de passer la valeur faible.

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