PGCD de deux nombres

Potentiel entre la source et le corps Calculatrice

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Conception VLSI analogique Optimisation des matériaux VLSI

✖Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.ⓘ Potentiel des surfaces [Φ_s]			+10% -10%
✖La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration d'accepteur [N_A]			+10% -10%
✖La concentration intrinsèque fait référence à la concentration de porteurs de charge (électrons et trous) dans un semi-conducteur intrinsèque à l'équilibre thermique.ⓘ Concentration intrinsèque [N_i]			+10% -10%

✖La différence de potentiel du corps source est calculée lorsqu'un potentiel appliqué de manière externe est égal à la somme de la chute de tension aux bornes de la couche d'oxyde et de la chute de tension aux bornes du semi-conducteur.ⓘ Potentiel entre la source et le corps [V_sb]

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Potentiel entre la source et le corps Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Différence potentielle du corps source = Potentiel des surfaces/(2*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 4 Variables

Fonctions utilisées

ln - Le logarithme naturel, également connu sous le nom de logarithme de base e, est la fonction inverse de la fonction exponentielle naturelle., ln(Number)

Variables utilisées

Différence potentielle du corps source - (Mesuré en Volt) - La différence de potentiel du corps source est calculée lorsqu'un potentiel appliqué de manière externe est égal à la somme de la chute de tension aux bornes de la couche d'oxyde et de la chute de tension aux bornes du semi-conducteur.
Potentiel des surfaces - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
Concentration intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration intrinsèque fait référence à la concentration de porteurs de charge (électrons et trous) dans un semi-conducteur intrinsèque à l'équilibre thermique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Potentiel des surfaces: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Aucune conversion requise
Concentration d'accepteur: 1E+16 1 par centimètre cube --> 1E+22 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Concentration intrinsèque: 14500000000 1 par centimètre cube --> 1.45E+16 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))

Évaluer ... ...

V_sb = 0.255133406849134

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.255133406849134 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.255133406849134 ≈ 0.255133 Volt <-- Différence potentielle du corps source

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Tension de vidange

LaTeX Aller Tension du collecteur de base = sqrt(Puissance dynamique/(Fréquence*Capacitance))

Capacité porte à base

LaTeX Aller Capacité porte à base = Capacité de porte-(Capacité porte à source+Capacité de la porte à drainer)

Tension de porte à canal

LaTeX Aller Tension porte à canal = (Frais de canal/Capacité de porte)+Tension de seuil

Porte vers le potentiel des collectionneurs

LaTeX Aller Tension porte à canal = (Potentiel porte à source+Porte pour drainer le potentiel)/2

Potentiel entre la source et le corps Formule

LaTeX Aller

Différence potentielle du corps source = Potentiel des surfaces/(2*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))

Comment le corps affecte-t-il la tension de seuil ?

Les transistors sont un dispositif à quatre bornes. Ce sont la porte, la source, le drain et le corps. Lorsqu'une tension Vsb est appliquée entre la source et le corps, elle augmente la quantité de charge nécessaire pour inverser le canal, par conséquent, elle augmente la tension de seuil. L'effet de corps dégrade encore les performances des transistors de passage essayant de passer la valeur faible.

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