Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET Calculatrice

✖La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.ⓘ Tension grille-source [V_gs]			+10% -10%
✖La fréquence angulaire de l'onde fait référence au déplacement angulaire par unité de temps. C'est une mesure scalaire du taux de rotation.ⓘ Fréquence angulaire [ω]			+10% -10%
✖La capacité de grille source est une mesure de la capacité entre les électrodes de source et de grille dans un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Capacité de la porte source [C_sg]			+10% -10%
✖La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Capacité de vidange de porte [C_gd]			+10% -10%

✖Le courant d'entrée peut faire référence au courant électrique qui circule dans un appareil ou un circuit électrique. Ce courant peut être alternatif ou continu selon l'appareil et la source d'alimentation.ⓘ Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET [I_in]

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Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant d'entrée = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Courant d'entrée - (Mesuré en Ampère) - Le courant d'entrée peut faire référence au courant électrique qui circule dans un appareil ou un circuit électrique. Ce courant peut être alternatif ou continu selon l'appareil et la source d'alimentation.
Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Fréquence angulaire - (Mesuré en Radian par seconde) - La fréquence angulaire de l'onde fait référence au déplacement angulaire par unité de temps. C'est une mesure scalaire du taux de rotation.
Capacité de la porte source - (Mesuré en Farad) - La capacité de grille source est une mesure de la capacité entre les électrodes de source et de grille dans un transistor à effet de champ (FET).
Capacité de vidange de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension grille-source: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise
Fréquence angulaire: 33 Radian par seconde --> 33 Radian par seconde Aucune conversion requise
Capacité de la porte source: 8.16 microfarades --> 8.16E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Capacité de vidange de porte: 7 microfarades --> 7E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd)) --> 4*(33*(8.16E-06+7E-06))

Évaluer ... ...

I_in = 0.00200112

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00200112 Ampère -->2.00112 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

2.00112 Milliampère <-- Courant d'entrée

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

LaTeX Aller Tension de vidange Q1 = -Résistance de sortie*(Transconductance*Signal d'entrée en mode commun)/(1+(2*Transconductance*Résistance de sortie))

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

LaTeX Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

LaTeX Aller Tension de vidange Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

LaTeX Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET Formule

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Courant d'entrée = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))

À quoi sert un MOSFET?

Le transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est un dispositif semi-conducteur largement utilisé à des fins de commutation et pour l'amplification de signaux électroniques dans les appareils électroniques.

Quels sont les types de MOSFET?

Il existe deux classes de MOSFET. Il existe un mode d'épuisement et un mode d'amélioration. Chaque classe est disponible sous forme de canal n ou p, ce qui donne un total de quatre types de MOSFET. Le mode d'épuisement se présente sous la forme d'un N ou d'un P et un mode d'amélioration est d'un N ou d'un P.

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