Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Courant d'entrée = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd))
Cette formule utilise 5 Variables
Variables utilisées
Courant d'entrée - (Mesuré en Ampère) - Le courant d'entrée peut faire référence au courant électrique qui circule dans un appareil ou un circuit électrique. Ce courant peut être alternatif ou continu selon l'appareil et la source d'alimentation.
Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Fréquence angulaire - (Mesuré en Radian par seconde) - La fréquence angulaire de l'onde fait référence au déplacement angulaire par unité de temps. C'est une mesure scalaire du taux de rotation.
Capacité de la porte source - (Mesuré en Farad) - La capacité de grille source est une mesure de la capacité entre les électrodes de source et de grille dans un transistor à effet de champ (FET).
Capacité de vidange de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension grille-source: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise
Fréquence angulaire: 33 Radian par seconde --> 33 Radian par seconde Aucune conversion requise
Capacité de la porte source: 8.16 microfarades --> 8.16E-06 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
Capacité de vidange de porte: 7 microfarades --> 7E-06 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd)) --> 4*(33*(8.16E-06+7E-06))
Évaluer ... ...
Iin = 0.00200112
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.00200112 Ampère -->2.00112 Milliampère (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
2.00112 Milliampère <-- Courant d'entrée
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Tension Calculatrices

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun
​ LaTeX ​ Aller Tension de vidange Q1 = -Résistance de sortie*(Transconductance*Signal d'entrée en mode commun)/(1+(2*Transconductance*Résistance de sortie))
Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun
​ LaTeX ​ Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun
Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Tension de vidange Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total)
Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET Formule

​LaTeX ​Aller
Courant d'entrée = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd))

À quoi sert un MOSFET?

Le transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est un dispositif semi-conducteur largement utilisé à des fins de commutation et pour l'amplification de signaux électroniques dans les appareils électroniques.

Quels sont les types de MOSFET?

Il existe deux classes de MOSFET. Il existe un mode d'épuisement et un mode d'amélioration. Chaque classe est disponible sous forme de canal n ou p, ce qui donne un total de quatre types de MOSFET. Le mode d'épuisement se présente sous la forme d'un N ou d'un P et un mode d'amélioration est d'un N ou d'un P.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!