Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS Calculatrice

✖Le paramètre de l'appareil est le paramètre utilisé dans le calcul lié au MOSFET.VA est proportionnel à la longueur de canal L que le concepteur sélectionne pour un MOSFET.ⓘ Paramètre de l'appareil [V_A]			+10% -10%
✖La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%

✖La tension est la différence de potentiel électrique entre deux points, qui est définie comme le travail nécessaire par unité de charge pour déplacer une charge de test entre les deux points.ⓘ Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS [V]

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Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension = Paramètre de l'appareil*Longueur du canal
V = V_A*L
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Tension - (Mesuré en Volt) - La tension est la différence de potentiel électrique entre deux points, qui est définie comme le travail nécessaire par unité de charge pour déplacer une charge de test entre les deux points.
Paramètre de l'appareil - (Mesuré en Volt) - Le paramètre de l'appareil est le paramètre utilisé dans le calcul lié au MOSFET.VA est proportionnel à la longueur de canal L que le concepteur sélectionne pour un MOSFET.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de l'appareil: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise
Longueur du canal: 3 Micromètre --> 3E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V = V_A*L --> 4*3E-06

Évaluer ... ...

V = 1.2E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.2E-05 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.2E-05 ≈ 1.2E-5 Volt <-- Tension

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

LaTeX Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)

Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

NMOS comme résistance linéaire

LaTeX Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

LaTeX Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS Formule

LaTeX Aller

Tension = Paramètre de l'appareil*Longueur du canal
V = V_A*L

À quoi sert un MOSFET?

Le transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est un dispositif semi-conducteur largement utilisé à des fins de commutation et pour l'amplification de signaux électroniques dans les appareils électroniques.

Quels sont les types de MOSFET?

Il existe deux classes de MOSFET. Il existe un mode d'épuisement et un mode d'amélioration. Chaque classe est disponible sous forme de canal n ou p, ce qui donne un total de quatre types de MOSFET. Le mode d'épuisement se présente sous la forme d'un N ou d'un P et un mode d'amélioration est d'un N ou d'un P.

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