PPCM de deux nombres

Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec drain VLSI Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI Conception VLSI analogique

✖La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration d'accepteur [N_A]			+10% -10%
✖La tension intégrée de jonction est définie comme la tension qui existe aux bornes d’une jonction semi-conductrice en équilibre thermique, où aucune tension externe n’est appliquée.ⓘ Tension intégrée de jonction [Ø₀]			+10% -10%
✖Le potentiel de drainage vers la source est le potentiel entre le drainage et la source.ⓘ Potentiel de drainage vers la source [V_ds]			+10% -10%

✖La profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec drain est définie comme l'extension de la région d'appauvrissement dans le matériau semi-conducteur près de la borne de drain.ⓘ Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec drain VLSI [x_dD]

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Formule

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Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec drain VLSI

Formule

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

Exemple

0.534467 μm = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot 1e+16 /cm³}) \cdot (0.76 V + 1.45 V)}

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Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec drain VLSI Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Concentration d'accepteur))*(Tension intégrée de jonction+Potentiel de drainage vers la source))
x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds))
Cette formule utilise 3 Constantes, 1 Les fonctions, 4 Variables

Constantes utilisées

[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide Valeur prise comme 8.85E-12
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain - (Mesuré en Mètre) - La profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec drain est définie comme l'extension de la région d'appauvrissement dans le matériau semi-conducteur près de la borne de drain.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
Tension intégrée de jonction - (Mesuré en Volt) - La tension intégrée de jonction est définie comme la tension qui existe aux bornes d’une jonction semi-conductrice en équilibre thermique, où aucune tension externe n’est appliquée.
Potentiel de drainage vers la source - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de drainage vers la source est le potentiel entre le drainage et la source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration d'accepteur: 1E+16 1 par centimètre cube --> 1E+22 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Tension intégrée de jonction: 0.76 Volt --> 0.76 Volt Aucune conversion requise
Potentiel de drainage vers la source: 1.45 Volt --> 1.45 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds)) --> sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45))

Évaluer ... ...

x_dD = 5.34466520692296E-07

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

5.34466520692296E-07 Mètre -->0.534466520692296 Micromètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.534466520692296 ≈ 0.534467 Micromètre <-- Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Priyanka Patel

Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai (PEMD), Ahmedabad

Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Coefficient d'effet corporel

Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Coefficient DIBL

Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Charge de canal

Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension critique

Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal