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Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI Conception VLSI analogique

✖La tension intégrée de jonction est définie comme la tension qui existe aux bornes d’une jonction semi-conductrice en équilibre thermique, où aucune tension externe n’est appliquée.ⓘ Tension intégrée de jonction [Ø₀]			+10% -10%
✖La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration d'accepteur [N_A]			+10% -10%

✖La profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec source est définie comme la région autour d'une jonction pn où les porteurs de charge ont été épuisés en raison de la formation d'un champ électrique.ⓘ Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI [x_dS]

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Formule

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Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI

Formule

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot Ø 0}{[Charge-e] \cdot N A}}

Exemple

0.313423 μm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 0.76 V}{[Charge-e] \cdot 1e+16 /cm³}}

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Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tension intégrée de jonction)/([Charge-e]*Concentration d'accepteur))
x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Ø₀)/([Charge-e]*N_A))
Cette formule utilise 3 Constantes, 1 Les fonctions, 3 Variables

Constantes utilisées

[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide Valeur prise comme 8.85E-12
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source - (Mesuré en Mètre) - La profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec source est définie comme la région autour d'une jonction pn où les porteurs de charge ont été épuisés en raison de la formation d'un champ électrique.
Tension intégrée de jonction - (Mesuré en Volt) - La tension intégrée de jonction est définie comme la tension qui existe aux bornes d’une jonction semi-conductrice en équilibre thermique, où aucune tension externe n’est appliquée.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension intégrée de jonction: 0.76 Volt --> 0.76 Volt Aucune conversion requise
Concentration d'accepteur: 1E+16 1 par centimètre cube --> 1E+22 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Ø₀)/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*0.76)/([Charge-e]*1E+22))

Évaluer ... ...

x_dS = 3.13423217933622E-07

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

3.13423217933622E-07 Mètre -->0.313423217933622 Micromètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.313423217933622 ≈ 0.313423 Micromètre <-- Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Priyanka Patel

Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai (PEMD), Ahmedabad

Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Coefficient d'effet corporel

Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Coefficient DIBL

Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Charge de canal

Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension critique

Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal