Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec drain VLSI Calculatrice

Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Concentration d'accepteur))*(Tension intégrée de jonction+Potentiel de drainage vers la source))
x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds))
Cette formule utilise 3 Constantes, 1 Les fonctions, 4 Variables
[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide Valeur prise comme 8.85E-12
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain - (Mesuré en Mètre) - La profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec drain est définie comme l'extension de la région d'appauvrissement dans le matériau semi-conducteur près de la borne de drain.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
Tension intégrée de jonction - (Mesuré en Volt) - La tension intégrée de jonction est définie comme la tension qui existe aux bornes d’une jonction semi-conductrice en équilibre thermique, où aucune tension externe n’est appliquée.
Potentiel de drainage vers la source - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de drainage vers la source est le potentiel entre le drainage et la source.

(Calcul effectué en 00.020 secondes)