Permittivité de la couche d'oxyde Calculatrice

✖La toxicité de l'épaisseur de la couche d'oxyde est déterminée au cours de la technologie de processus utilisée pour fabriquer le MOSFET.ⓘ Épaisseur de la couche d'oxyde [t_ox]			+10% -10%
✖La capacité de porte d'entrée dans CMOS fait référence à la capacité entre les bornes d'entrée d'un circuit CMOS et le potentiel de référence (généralement la masse).ⓘ Capacité de la porte d'entrée [C_in]			+10% -10%
✖La largeur de grille fait référence à la distance entre le bord d'une électrode de grille métallique et le matériau semi-conducteur adjacent dans un CMOS.ⓘ Largeur du portail [W_g]			+10% -10%
✖La longueur de la porte est la mesure ou l'étendue de quelque chose d'un bout à l'autre.ⓘ Longueur de la porte [L_g]			+10% -10%

✖La permittivité de la couche d'oxyde est définie comme la capacité d'une substance à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique.ⓘ Permittivité de la couche d'oxyde [ε_ox]

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Permittivité de la couche d'oxyde Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Permittivité de la couche d'oxyde = Épaisseur de la couche d'oxyde*Capacité de la porte d'entrée/(Largeur du portail*Longueur de la porte)
ε_ox = t_ox*C_in/(W_g*L_g)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Permittivité de la couche d'oxyde - (Mesuré en Farad par mètre) - La permittivité de la couche d'oxyde est définie comme la capacité d'une substance à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique.
Épaisseur de la couche d'oxyde - (Mesuré en Mètre) - La toxicité de l'épaisseur de la couche d'oxyde est déterminée au cours de la technologie de processus utilisée pour fabriquer le MOSFET.
Capacité de la porte d'entrée - (Mesuré en Farad) - La capacité de porte d'entrée dans CMOS fait référence à la capacité entre les bornes d'entrée d'un circuit CMOS et le potentiel de référence (généralement la masse).
Largeur du portail - (Mesuré en Mètre) - La largeur de grille fait référence à la distance entre le bord d'une électrode de grille métallique et le matériau semi-conducteur adjacent dans un CMOS.
Longueur de la porte - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la porte est la mesure ou l'étendue de quelque chose d'un bout à l'autre.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Épaisseur de la couche d'oxyde: 4.98 Millimètre --> 0.00498 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Capacité de la porte d'entrée: 60.01 microfarades --> 6.001E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Largeur du portail: 0.285 Millimètre --> 0.000285 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur de la porte: 7 Millimètre --> 0.007 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

ε_ox = t_ox*C_in/(W_g*L_g) --> 0.00498*6.001E-05/(0.000285*0.007)

Évaluer ... ...

ε_ox = 0.149799398496241

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.149799398496241 Farad par mètre -->149.799398496241 Microfarad par millimètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

149.799398496241 ≈ 149.7994 Microfarad par millimètre <-- Permittivité de la couche d'oxyde

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Permittivité de la couche d'oxyde Formule

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Permittivité de la couche d'oxyde = Épaisseur de la couche d'oxyde*Capacité de la porte d'entrée/(Largeur du portail*Longueur de la porte)
ε_ox = t_ox*C_in/(W_g*L_g)

Quelles sont les régions de fonctionnement des transistors MOS ?

Les transistors MOS ont trois régions de fonctionnement qui comprennent une région de coupure ou sous-seuil, une région linéaire et une région de saturation.

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