Épaisseur de la couche d'oxyde Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Épaisseur de la couche d'oxyde = Permittivité de la couche d'oxyde*Largeur du portail*Longueur de la porte/Capacité de la porte d'entrée
tox = εox*Wg*Lg/Cin
Cette formule utilise 5 Variables
Variables utilisées
Épaisseur de la couche d'oxyde - (Mesuré en Mètre) - La toxicité de l'épaisseur de la couche d'oxyde est déterminée au cours de la technologie de processus utilisée pour fabriquer le MOSFET.
Permittivité de la couche d'oxyde - (Mesuré en Farad par mètre) - La permittivité de la couche d'oxyde est définie comme la capacité d'une substance à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique.
Largeur du portail - (Mesuré en Mètre) - La largeur de grille fait référence à la distance entre le bord d'une électrode de grille métallique et le matériau semi-conducteur adjacent dans un CMOS.
Longueur de la porte - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la porte est la mesure ou l'étendue de quelque chose d'un bout à l'autre.
Capacité de la porte d'entrée - (Mesuré en Farad) - La capacité de porte d'entrée dans CMOS fait référence à la capacité entre les bornes d'entrée d'un circuit CMOS et le potentiel de référence (généralement la masse).
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Permittivité de la couche d'oxyde: 149.79 Microfarad par millimètre --> 0.14979 Farad par mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Largeur du portail: 0.285 Millimètre --> 0.000285 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Longueur de la porte: 7 Millimètre --> 0.007 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Capacité de la porte d'entrée: 60.01 microfarades --> 6.001E-05 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
tox = εox*Wg*Lg/Cin --> 0.14979*0.000285*0.007/6.001E-05
Évaluer ... ...
tox = 0.00497968755207465
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.00497968755207465 Mètre -->4.97968755207465 Millimètre (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
4.97968755207465 4.979688 Millimètre <-- Épaisseur de la couche d'oxyde
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
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Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Largeur de diffusion de la source
​ LaTeX ​ Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
Zone de diffusion de la source
​ LaTeX ​ Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
CMOS Moyenne Parcours Libre
​ LaTeX ​ Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
Tension critique CMOS
​ LaTeX ​ Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Épaisseur de la couche d'oxyde Formule

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Épaisseur de la couche d'oxyde = Permittivité de la couche d'oxyde*Largeur du portail*Longueur de la porte/Capacité de la porte d'entrée
tox = εox*Wg*Lg/Cin

Quelles sont les régions de fonctionnement des transistors MOS ?

Les transistors MOS ont trois régions de fonctionnement qui comprennent une région de coupure ou sous-seuil, une région linéaire et une région de saturation.

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