Capacité d'oxyde de NMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Capacité d'oxyde = (3.45*10^(-11))/Épaisseur d'oxyde
Cox = (3.45*10^(-11))/tox
Cette formule utilise 2 Variables
Variables utilisées
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.
Épaisseur d'oxyde - (Mesuré en Mètre) - L'épaisseur d'oxyde fait référence à l'épaisseur d'une fine couche de matériau d'oxyde qui est formée sur la surface d'un substrat, généralement un matériau semi-conducteur comme le silicium.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Épaisseur d'oxyde: 17 Micromètre --> 1.7E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Cox = (3.45*10^(-11))/tox --> (3.45*10^(-11))/1.7E-05
Évaluer ... ...
Cox = 2.02941176470588E-06
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
2.02941176470588E-06 Farad -->2.02941176470588 microfarades (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
2.02941176470588 2.029412 microfarades <-- Capacité d'oxyde
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)
Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*Tension de source de drain^2)
NMOS comme résistance linéaire
​ LaTeX ​ Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))
Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS
​ LaTeX ​ Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Capacité d'oxyde de NMOS Formule

​LaTeX ​Aller
Capacité d'oxyde = (3.45*10^(-11))/Épaisseur d'oxyde
Cox = (3.45*10^(-11))/tox

Qu'est-ce que la capacité d'oxyde?

C'est le rapport de la permittivité e du dioxyde de silicium qui est de 3,45 × 10

Expliquez l'ensemble du processus de la région de canal du MOSFET formant un condensateur à plaques parallèles.

La grille et la région de canal du MOSFET forment un condensateur à plaques parallèles, la couche d'oxyde jouant le rôle de diélectrique du condensateur. La tension de grille positive provoque l'accumulation d'une charge positive sur la plaque supérieure du condensateur (l'électrode de grille). La charge négative correspondante sur la plaque inférieure est formée par les électrons dans le canal induit. Un champ électrique se développe donc dans le sens vertical. C'est ce champ qui contrôle la quantité de charge dans le canal, et donc il détermine la conductivité du canal et, à son tour, le courant qui passera à travers le canal lorsqu'une tension est appliquée.

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