Calculatrice A à Z
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Conception VLSI analogique
✖
La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.
ⓘ
Capacité d'oxyde par unité de surface [C
oxide
]
Farad par mètre carré
Microfarad par centimètre carré
Microfarad par millimètre carré
Nanofarad par centimètre carré
+10%
-10%
✖
Le facteur d'échelle est défini comme le rapport selon lequel les dimensions du transistor sont modifiées au cours du processus de conception.
ⓘ
Facteur d'échelle [Sf]
+10%
-10%
✖
La capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète fait référence à la nouvelle capacité après réduction des dimensions du MOSFET par mise à l'échelle complète.
ⓘ
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI [C
oxide
']
Farad par mètre carré
Microfarad par centimètre carré
Microfarad par millimètre carré
Nanofarad par centimètre carré
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI
Formule
C
oxide
'
=
C
oxide
⋅
Sf
Exemple
0.10545 μF/cm²
=
0.0703 μF/cm²
⋅
1.5
Calculatrice
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Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète
=
Capacité d'oxyde par unité de surface
*
Facteur d'échelle
C
oxide
'
=
C
oxide
*
Sf
Cette formule utilise
3
Variables
Variables utilisées
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète
-
(Mesuré en Farad par mètre carré)
- La capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète fait référence à la nouvelle capacité après réduction des dimensions du MOSFET par mise à l'échelle complète.
Capacité d'oxyde par unité de surface
-
(Mesuré en Farad par mètre carré)
- La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.
Facteur d'échelle
- Le facteur d'échelle est défini comme le rapport selon lequel les dimensions du transistor sont modifiées au cours du processus de conception.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Capacité d'oxyde par unité de surface:
0.0703 Microfarad par centimètre carré --> 0.000703 Farad par mètre carré
(Vérifiez la conversion
ici
)
Facteur d'échelle:
1.5 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
C
oxide
' = C
oxide
*Sf -->
0.000703*1.5
Évaluer ... ...
C
oxide
'
= 0.0010545
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.0010545 Farad par mètre carré -->0.10545 Microfarad par centimètre carré
(Vérifiez la conversion
ici
)
RÉPONSE FINALE
0.10545 Microfarad par centimètre carré
<--
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète
(Calcul effectué en 00.007 secondes)
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Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI
Crédits
Créé par
Priyanka Patel
Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai
(PEMD)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
Vérifié par
Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
<
Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices
Coefficient d'effet corporel
Aller
Coefficient d'effet corporel
=
modulus
((
Tension de seuil
-
Tension de seuil DIBL
)/(
sqrt
(
Potentiel des surfaces
+(
Différence potentielle du corps source
))-
sqrt
(
Potentiel des surfaces
)))
Coefficient DIBL
Aller
Coefficient DIBL
= (
Tension de seuil DIBL
-
Tension de seuil
)/
Potentiel de drainage vers la source
Charge de canal
Aller
Frais de canal
=
Capacité de porte
*(
Tension porte à canal
-
Tension de seuil
)
Tension critique
Aller
Tension critique
=
Champ électrique critique
*
Champ électrique sur toute la longueur du canal
Voir plus >>
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI Formule
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète
=
Capacité d'oxyde par unité de surface
*
Facteur d'échelle
C
oxide
'
=
C
oxide
*
Sf
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