Capacité de chevauchement du MOSFET Calculatrice

✖La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).ⓘ Largeur de canal [W_c]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%
✖La longueur de chevauchement est la distance moyenne que les porteurs excédentaires peuvent parcourir avant de se recombiner.ⓘ Longueur de chevauchement [L_ov]			+10% -10%

✖La capacité de chevauchement fait référence à la capacité qui apparaît entre deux régions conductrices très proches l'une de l'autre, mais non directement connectées.ⓘ Capacité de chevauchement du MOSFET [C_oc]

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Capacité de chevauchement du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de chevauchement = Largeur de canal*Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement
C_oc = W_c*C_ox*L_ov
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité de chevauchement - (Mesuré en Farad) - La capacité de chevauchement fait référence à la capacité qui apparaît entre deux régions conductrices très proches l'une de l'autre, mais non directement connectées.
Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.
Longueur de chevauchement - (Mesuré en Mètre) - La longueur de chevauchement est la distance moyenne que les porteurs excédentaires peuvent parcourir avant de se recombiner.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur de canal: 10 Micromètre --> 1E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Capacité d'oxyde: 940 microfarades --> 0.00094 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Longueur de chevauchement: 40.6 Micromètre --> 4.06E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_oc = W_c*C_ox*L_ov --> 1E-05*0.00094*4.06E-05

Évaluer ... ...

C_oc = 3.8164E-13

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

3.8164E-13 Farad -->3.8164E-07 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

3.8164E-07 ≈ 3.8E-7 microfarades <-- Capacité de chevauchement

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence » Capacité de chevauchement du MOSFET

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Fréquence de transition du MOSFET

LaTeX Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Largeur du canal porte à source du MOSFET

LaTeX Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)

Capacité de chevauchement du MOSFET

LaTeX Aller Capacité de chevauchement = Largeur de canal*Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement

Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET

LaTeX Aller Capacité du canal de porte = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal

Capacité de chevauchement du MOSFET Formule

LaTeX Aller

Capacité de chevauchement = Largeur de canal*Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement
C_oc = W_c*C_ox*L_ov

Comment le MOSFET agit-il comme condensateur?

En termes simples, le DRAIN et la SOURCE du MOSFET agissent comme des plaques conductrices dans un condensateur en raison de la grille isolée. Les MOSFET se comportent comme des dispositifs électroconducteurs, ce qui équivaut à une capacité contrôlée en tension.

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