Gain de tension global de l'amplificateur à émetteur commun Calculatrice

✖La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.ⓘ Transconductance primaire MOSFET [g_mp]			+10% -10%
✖La résistance d'entrée 2 est l'opposition qu'un composant ou un circuit électrique présente au flux de courant électrique lorsqu'une tension lui est appliquée.ⓘ Résistance d'entrée [R_in]			+10% -10%
✖La résistance du signal est la résistance qui est alimentée par la source de tension de signal d'un amplificateur.ⓘ Résistance du signal [R_sig]			+10% -10%
✖La Résistance Collecteur est l'opposition offerte au courant traversant le collecteur.ⓘ Résistance des collectionneurs [R_c]			+10% -10%
✖La résistance de charge est la valeur de résistance de charge donnée pour le réseau.ⓘ Résistance à la charge [R_L]			+10% -10%
✖La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.ⓘ Résistance de sortie finie [R_out]			+10% -10%

✖Le gain de tension de rétroaction est une mesure du gain d'un amplificateur ou d'un système électronique dérivé de la tension d'entrée et du retour de la sortie.ⓘ Gain de tension global de l'amplificateur à émetteur commun [G_fv]

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Gain de tension global de l'amplificateur à émetteur commun Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Gain de tension de rétroaction = -Transconductance primaire MOSFET*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))*(1/Résistance des collectionneurs+1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie finie)^-1
G_fv = -g_mp*(R_in/(R_in+R_sig))*(1/R_c+1/R_L+1/R_out)^-1
Cette formule utilise 7 Variables

Variables utilisées

Gain de tension de rétroaction - Le gain de tension de rétroaction est une mesure du gain d'un amplificateur ou d'un système électronique dérivé de la tension d'entrée et du retour de la sortie.
Transconductance primaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Résistance d'entrée - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée 2 est l'opposition qu'un composant ou un circuit électrique présente au flux de courant électrique lorsqu'une tension lui est appliquée.
Résistance du signal - (Mesuré en Ohm) - La résistance du signal est la résistance qui est alimentée par la source de tension de signal d'un amplificateur.
Résistance des collectionneurs - (Mesuré en Ohm) - La Résistance Collecteur est l'opposition offerte au courant traversant le collecteur.
Résistance à la charge - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge est la valeur de résistance de charge donnée pour le réseau.
Résistance de sortie finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance primaire MOSFET: 19.77 millisiemens --> 0.01977 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Résistance d'entrée: 0.301 Kilohm --> 301 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance du signal: 1.12 Kilohm --> 1120 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance des collectionneurs: 1.01 Kilohm --> 1010 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance à la charge: 1.013 Kilohm --> 1013 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance de sortie finie: 0.35 Kilohm --> 350 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

G_fv = -g_mp*(R_in/(R_in+R_sig))*(1/R_c+1/R_L+1/R_out)^-1 --> -0.01977*(301/(301+1120))*(1/1010+1/1013+1/350)^-1

Évaluer ... ...

G_fv = -0.866234994090138

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-0.866234994090138 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-0.866234994090138 ≈ -0.866235 <-- Gain de tension de rétroaction

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Tu es là -

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Amplificateur à émetteur commun Calculatrices

Gain de tension de rétroaction global de l'amplificateur à collecteur commun

LaTeX Aller Gain de tension global = ((Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance à la charge)/((Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance à la charge+(Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance de l'émetteur+Résistance du signal)

Gain de tension global de l'amplificateur à émetteur commun

LaTeX Aller Gain de tension de rétroaction = -Transconductance primaire MOSFET*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))*(1/Résistance des collectionneurs+1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie finie)^-1

Gain de tension de rétroaction global de l'amplificateur à émetteur commun

LaTeX Aller Gain de tension de rétroaction = -Gain de courant de base commune*Résistance des collectionneurs/Résistance de l'émetteur*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))

Tension fondamentale dans l'amplificateur à émetteur commun

LaTeX Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance d'entrée*Courant de base

< Gain des amplificateurs de scène communs Calculatrices

Gain de tension de rétroaction global de l'amplificateur à collecteur commun

Gain de tension négatif de la base au collecteur

LaTeX Aller Gain de tension négatif = -Gain de courant de base commune*(Résistance des collectionneurs/Résistance de l'émetteur)

Gain de courant de base commune

LaTeX Aller Gain de courant de base commune = (Gain de tension*Résistance de l'émetteur/Résistance des collectionneurs)

Gain de tension de l'amplificateur à base commune

LaTeX Aller Gain de tension = Tension du collecteur/Tension de l'émetteur

Gain de tension global de l'amplificateur à émetteur commun Formule

LaTeX Aller

Que fait un amplificateur émetteur commun?

La configuration d'amplificateur à émetteur commun fournit un gain de tension et est l'une des configurations de transistor les plus largement utilisées pour la conception de circuits électroniques. Le circuit amplificateur à transistor émetteur commun est l'un des circuits principaux à utiliser dans la conception de circuits électroniques et offre de nombreux avantages.

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