Tension efficace globale de la transconductance MOSFET Calculatrice

✖Le courant de drain de saturation est défini comme le courant inférieur au seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant de drainage de saturation [i_ds]			+10% -10%
✖Le paramètre de transconductance du processus est le produit de la mobilité des électrons dans le canal et de la capacité de l'oxyde.ⓘ Paramètre de transconductance du processus [k'_n]			+10% -10%
✖La largeur du canal est la dimension du canal du MOSFET.ⓘ Largeur du canal [W_c]			+10% -10%
✖La longueur du canal, L, qui est la distance entre les deux jonctions -p.ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%

✖La tension efficace ou tension de surmultiplication est appelée excès de tension aux bornes de l'oxyde par rapport à la tension thermique.ⓘ Tension efficace globale de la transconductance MOSFET [V_ov]

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Formule

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Tension efficace globale de la transconductance MOSFET

Formule

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{i ds}{k' n \cdot (\frac{W c}{L})}}

Exemple

0.122949 V = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721 mA}{0.2 A/V² \cdot (\frac{10.15 μm}{3.25 μm})}}

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Tension efficace globale de la transconductance MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension efficace = sqrt(2*Courant de drainage de saturation/(Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)))
V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L)))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Tension efficace - (Mesuré en Volt) - La tension efficace ou tension de surmultiplication est appelée excès de tension aux bornes de l'oxyde par rapport à la tension thermique.
Courant de drainage de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain de saturation est défini comme le courant inférieur au seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.
Paramètre de transconductance du processus - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance du processus est le produit de la mobilité des électrons dans le canal et de la capacité de l'oxyde.
Largeur du canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal est la dimension du canal du MOSFET.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal, L, qui est la distance entre les deux jonctions -p.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de drainage de saturation: 4.721 Milliampère --> 0.004721 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Paramètre de transconductance du processus: 0.2 Ampère par volt carré --> 0.2 Ampère par volt carré Aucune conversion requise
Largeur du canal: 10.15 Micromètre --> 1.015E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur du canal: 3.25 Micromètre --> 3.25E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L))) --> sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06)))

Évaluer ... ...

V_ov = 0.122949186508306

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.122949186508306 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.122949186508306 ≈ 0.122949 Volt <-- Tension efficace

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension de drain instantanée totale

Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Tension efficace globale de la transconductance MOSFET Formule

Tension efficace = sqrt(2*Courant de drainage de saturation/(Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)))
V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L)))

Quelle est la différence entre l'impédance et la résistance?

La résistance est simplement définie comme l'opposition à la circulation du courant électrique dans le circuit. L'impédance est une opposition au flux de courant alternatif en raison de trois composants résistifs, inductifs ou capacitifs. C'est une combinaison de résistance et de réactance dans un circuit.

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