Résistance de sortie de l'amplificateur CE dégénéré par l'émetteur Calculatrice

✖La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.ⓘ Résistance de sortie finie [R_out]			+10% -10%
✖La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.ⓘ Transconductance primaire MOSFET [g_mp]			+10% -10%
✖La résistance de l'émetteur est une résistance dynamique de la diode à jonction émetteur-base d'un transistor.ⓘ Résistance de l'émetteur [R_e]			+10% -10%
✖La résistance d'entrée de petit signal 2 entre la base et l'émetteur modélise la façon dont l'impédance d'entrée entre les bornes de base et d'émetteur du transistor change lorsqu'un petit signal alternatif est appliqué.ⓘ Résistance d'entrée de petit signal [R_sm]			+10% -10%

✖La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.ⓘ Résistance de sortie de l'amplificateur CE dégénéré par l'émetteur [R_d]

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Résistance de sortie de l'amplificateur CE dégénéré par l'émetteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Résistance aux fuites = Résistance de sortie finie+(Transconductance primaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de l'émetteur+1/Résistance d'entrée de petit signal)
R_d = R_out+(g_mp*R_out)*(1/R_e+1/R_sm)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.
Résistance de sortie finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
Transconductance primaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Résistance de l'émetteur - (Mesuré en Ohm) - La résistance de l'émetteur est une résistance dynamique de la diode à jonction émetteur-base d'un transistor.
Résistance d'entrée de petit signal - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée de petit signal 2 entre la base et l'émetteur modélise la façon dont l'impédance d'entrée entre les bornes de base et d'émetteur du transistor change lorsqu'un petit signal alternatif est appliqué.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Résistance de sortie finie: 0.35 Kilohm --> 350 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Transconductance primaire MOSFET: 19.77 millisiemens --> 0.01977 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Résistance de l'émetteur: 0.067 Kilohm --> 67 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance d'entrée de petit signal: 1.45 Kilohm --> 1450 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

R_d = R_out+(g_mp*R_out)*(1/R_e+1/R_sm) --> 350+(0.01977*350)*(1/67+1/1450)

Évaluer ... ...

R_d = 350.108048188369

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

350.108048188369 Ohm -->0.350108048188368 Kilohm (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.350108048188368 ≈ 0.350108 Kilohm <-- Résistance aux fuites

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< Amplificateur à émetteur commun Calculatrices

Gain de tension de rétroaction global de l'amplificateur à collecteur commun

LaTeX Aller Gain de tension global = ((Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance à la charge)/((Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance à la charge+(Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance de l'émetteur+Résistance du signal)

Gain de tension global de l'amplificateur à émetteur commun

LaTeX Aller Gain de tension de rétroaction = -Transconductance primaire MOSFET*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))*(1/Résistance des collectionneurs+1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie finie)^-1

Gain de tension de rétroaction global de l'amplificateur à émetteur commun

LaTeX Aller Gain de tension de rétroaction = -Gain de courant de base commune*Résistance des collectionneurs/Résistance de l'émetteur*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))

Tension fondamentale dans l'amplificateur à émetteur commun

LaTeX Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance d'entrée*Courant de base

< Actions CV des amplificateurs de scène courants Calculatrices

Résistance d'entrée de l'amplificateur émetteur commun

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Impédance d'entrée de l'amplificateur à base commune

LaTeX Aller Impédance d'entrée = (1/Résistance de l'émetteur+1/Résistance d'entrée de petit signal)^(-1)

Tension fondamentale dans l'amplificateur à émetteur commun

LaTeX Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance d'entrée*Courant de base

Courant d'émetteur de l'amplificateur à base commune

LaTeX Aller Courant de l'émetteur = Tension d'entrée/Résistance de l'émetteur

Résistance de sortie de l'amplificateur CE dégénéré par l'émetteur Formule

LaTeX Aller

Qu'est-ce que l'amplificateur CE dégénéré par émetteur?

La dégénérescence de l'émetteur fait référence à l'ajout d'une petite résistance (R4) entre l'émetteur et la source de signal commune. Dans ce circuit, la borne de base du transistor est l'entrée, le collecteur est la sortie et l'émetteur est commun aux deux. C'est un amplificateur de tension avec une sortie inversée.

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