Résistance de sortie du transistor au gain intrinsèque Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance de sortie finie = Tension précoce/Courant du collecteur
Rout = Va'/ic
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Résistance de sortie finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
Tension précoce - (Mesuré en Volt par mètre) - La tension initiale dépend entièrement de la technologie du processus, avec les dimensions de volts par micron. Généralement, V ; se situe dans la plage de 5 V/μm à 50 V/μm.
Courant du collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant du collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension précoce: 13.85 Volt par mètre --> 13.85 Volt par mètre Aucune conversion requise
Courant du collecteur: 39.52 Milliampère --> 0.03952 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Rout = Va'/ic --> 13.85/0.03952
Évaluer ... ...
Rout = 350.455465587045
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
350.455465587045 Ohm -->0.350455465587045 Kilohm (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.350455465587045 0.350455 Kilohm <-- Résistance de sortie finie
(Calcul effectué en 00.021 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Émetteur suiveur Calculatrices

Résistance de sortie de l'émetteur suiveur
​ LaTeX ​ Aller Résistance finie = (1/Résistance à la charge+1/Tension du petit signal+1/Résistance de l'émetteur)+(1/Impédance de base+1/Résistance du signal)/(Gain de courant de base du collecteur+1)
Courant de collecteur dans la région active lorsque le transistor agit comme amplificateur
​ LaTeX ​ Aller Courant du collecteur = Courant de saturation*e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)
Courant de saturation de l'émetteur suiveur
​ LaTeX ​ Aller Courant de saturation = Courant du collecteur/e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)
Résistance d'entrée de l'émetteur suiveur
​ LaTeX ​ Aller Résistance d'entrée = 1/(1/Résistance du signal dans la base+1/Résistance de base)

Amplificateurs à transistors à plusieurs étages Calculatrices

Gain de tension cascode bipolaire en circuit ouvert
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension cascode bipolaire = -Transconductance primaire MOSFET*(Transconductance secondaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1
Résistance de drainage de l'amplificateur Cascode
​ LaTeX ​ Aller Résistance aux fuites = (Gain de tension de sortie/(Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie))
Gain de tension de sortie de l'amplificateur MOS Cascode
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension de sortie = -Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie*Résistance aux fuites
Résistance équivalente de l'amplificateur Cascode
​ LaTeX ​ Aller Résistance entre le drain et la terre = (1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée)^-1

Résistance de sortie du transistor au gain intrinsèque Formule

​LaTeX ​Aller
Résistance de sortie finie = Tension précoce/Courant du collecteur
Rout = Va'/ic

Qu'est-ce que le gain intrinsèque?

Le gain intrinsèque de la formule BJT est défini comme le gain de tension maximal possible d'un transistor typique, quel que soit le point de polarisation. cela signifie plus, c'est-à-dire le gain maximum d'un amplificateur CE (Common Emitter) en éliminant I

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