Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de drain sans modulation de longueur de canal
Rout = VA/ID'
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Résistance de sortie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.
Paramètre de l'appareil - (Mesuré en Volt) - Le paramètre de l'appareil est le paramètre utilisé dans le calcul lié au MOSFET.VA est proportionnel à la longueur de canal L que le concepteur sélectionne pour un MOSFET.
Courant de drain sans modulation de longueur de canal - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain sans modulation de longueur de canal signifie que le courant de drain de la région de saturation augmentera légèrement à mesure que la tension drain-source augmente.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Paramètre de l'appareil: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise
Courant de drain sans modulation de longueur de canal: 3.2 Milliampère --> 0.0032 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Rout = VA/ID' --> 4/0.0032
Évaluer ... ...
Rout = 1250
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1250 Ohm -->1.25 Kilohm (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
1.25 Kilohm <-- Résistance de sortie
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)
Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*Tension de source de drain^2)
NMOS comme résistance linéaire
​ LaTeX ​ Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))
Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS
​ LaTeX ​ Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current Formule

​LaTeX ​Aller
Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de drain sans modulation de longueur de canal
Rout = VA/ID'

Qu'est-ce qu'un MOSFET et comment ça marche?

En général, le MOSFET fonctionne comme un commutateur, le MOSFET contrôle la tension et le flux de courant entre la source et le drain. Le fonctionnement du MOSFET dépend du condensateur MOS, qui est la surface semi-conductrice sous les couches d'oxyde entre la borne de source et de drain.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!