Résistance de sortie de l'amplificateur CS avec résistance de source Calculatrice

✖La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.ⓘ Résistance de sortie finie [R_out]			+10% -10%
✖La résistance de la source est la valeur de la résistance interne de la source.ⓘ Résistance à la source [R_so]			+10% -10%
✖La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.ⓘ Transconductance primaire MOSFET [g_mp]			+10% -10%

✖La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.ⓘ Résistance de sortie de l'amplificateur CS avec résistance de source [R_d]

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Formule

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Résistance de sortie de l'amplificateur CS avec résistance de source

Formule

R d = R out + R so + (g mp \cdot R out \cdot R so)

Exemple

0.358711 kΩ = 0.35 kΩ + 0.0011 kΩ + (19.77 mS \cdot 0.35 kΩ \cdot 0.0011 kΩ)

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Résistance de sortie de l'amplificateur CS avec résistance de source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Résistance aux fuites = Résistance de sortie finie+Résistance à la source+(Transconductance primaire MOSFET*Résistance de sortie finie*Résistance à la source)
R_d = R_out+R_so+(g_mp*R_out*R_so)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.
Résistance de sortie finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
Résistance à la source - (Mesuré en Ohm) - La résistance de la source est la valeur de la résistance interne de la source.
Transconductance primaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Résistance de sortie finie: 0.35 Kilohm --> 350 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance à la source: 0.0011 Kilohm --> 1.1 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Transconductance primaire MOSFET: 19.77 millisiemens --> 0.01977 Siemens (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

R_d = R_out+R_so+(g_mp*R_out*R_so) --> 350+1.1+(0.01977*350*1.1)

Évaluer ... ...

R_d = 358.71145

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

358.71145 Ohm -->0.35871145 Kilohm (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.35871145 ≈ 0.358711 Kilohm <-- Résistance aux fuites

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

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Résistance de sortie de l'amplificateur CS avec résistance de source Formule

Qu'est-ce que la configuration CS?

La configuration de source commune est où l'entrée est une tension entre la grille et la terre, et la sortie est une tension entre le drain et la terre.

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