Gain de tension cascode bipolaire en circuit ouvert Calculatrice

Gain de tension cascode bipolaire = -Transconductance primaire MOSFET*(Transconductance secondaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1
A_fo = -g_mp*(g_ms*R_out)*(1/R_out1+1/R_sm)^-1
Cette formule utilise 6 Variables
Gain de tension cascode bipolaire - Le gain de tension cascode bipolaire fait référence à un type de configuration d'amplificateur qui utilise deux transistors dans une configuration cascode pour obtenir un gain de tension plus élevé qu'un amplificateur à transistor unique.
Transconductance primaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Transconductance secondaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance secondaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Résistance de sortie finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
Résistance de sortie finie du transistor 1 - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie du transistor 1 est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
Résistance d'entrée de petit signal - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée de petit signal 2 entre la base et l'émetteur modélise la façon dont l'impédance d'entrée entre les bornes de base et d'émetteur du transistor change lorsqu'un petit signal alternatif est appliqué.

(Calcul effectué en 00.020 secondes)