Gain de tension cascode bipolaire en circuit ouvert Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Gain de tension cascode bipolaire = -Transconductance primaire MOSFET*(Transconductance secondaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1
Afo = -gmp*(gms*Rout)*(1/Rout1+1/Rsm)^-1
Cette formule utilise 6 Variables
Variables utilisées
Gain de tension cascode bipolaire - Le gain de tension cascode bipolaire fait référence à un type de configuration d'amplificateur qui utilise deux transistors dans une configuration cascode pour obtenir un gain de tension plus élevé qu'un amplificateur à transistor unique.
Transconductance primaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Transconductance secondaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance secondaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Résistance de sortie finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
Résistance de sortie finie du transistor 1 - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie du transistor 1 est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
Résistance d'entrée de petit signal - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée de petit signal 2 entre la base et l'émetteur modélise la façon dont l'impédance d'entrée entre les bornes de base et d'émetteur du transistor change lorsqu'un petit signal alternatif est appliqué.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Transconductance primaire MOSFET: 19.77 millisiemens --> 0.01977 Siemens (Vérifiez la conversion ​ici)
Transconductance secondaire MOSFET: 10.85 millisiemens --> 0.01085 Siemens (Vérifiez la conversion ​ici)
Résistance de sortie finie: 0.35 Kilohm --> 350 Ohm (Vérifiez la conversion ​ici)
Résistance de sortie finie du transistor 1: 1.201 Kilohm --> 1201 Ohm (Vérifiez la conversion ​ici)
Résistance d'entrée de petit signal: 1.45 Kilohm --> 1450 Ohm (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Afo = -gmp*(gms*Rout)*(1/Rout1+1/Rsm)^-1 --> -0.01977*(0.01085*350)*(1/1201+1/1450)^-1
Évaluer ... ...
Afo = -49.3180315102791
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
-49.3180315102791 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
-49.3180315102791 -49.318032 <-- Gain de tension cascode bipolaire
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Anshika Arya
Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur
Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

Amplificateur Cascode Calculatrices

Gain de tension cascode bipolaire en circuit ouvert
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension cascode bipolaire = -Transconductance primaire MOSFET*(Transconductance secondaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1
Résistance de drainage de l'amplificateur Cascode
​ LaTeX ​ Aller Résistance aux fuites = (Gain de tension de sortie/(Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie))
Gain de tension de sortie de l'amplificateur MOS Cascode
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension de sortie = -Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie*Résistance aux fuites
Gain de tension négatif de l'amplificateur Cascode
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension négatif = -(Transconductance primaire MOSFET*Résistance entre le drain et la terre)

Amplificateurs à transistors à plusieurs étages Calculatrices

Gain de tension cascode bipolaire en circuit ouvert
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension cascode bipolaire = -Transconductance primaire MOSFET*(Transconductance secondaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1
Résistance de drainage de l'amplificateur Cascode
​ LaTeX ​ Aller Résistance aux fuites = (Gain de tension de sortie/(Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie))
Gain de tension de sortie de l'amplificateur MOS Cascode
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension de sortie = -Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie*Résistance aux fuites
Résistance équivalente de l'amplificateur Cascode
​ LaTeX ​ Aller Résistance entre le drain et la terre = (1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée)^-1

Gain de tension cascode bipolaire en circuit ouvert Formule

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Gain de tension cascode bipolaire = -Transconductance primaire MOSFET*(Transconductance secondaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1
Afo = -gmp*(gms*Rout)*(1/Rout1+1/Rsm)^-1

Pourquoi un amplificateur cascode est-il utilisé?

L'amplificateur cascode, avec ses variantes, est un élément clé de la boîte à outils du concepteur de circuits de circuits utiles. Il présente des avantages pour augmenter la bande passante et pour les applications d'amplification haute tension. Un amplificateur cascode a un gain élevé, une impédance d'entrée modérément élevée, une impédance de sortie élevée et une bande passante élevée.

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