Conductivité ohmique des impuretés Calculatrice

Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)
σ = q*(μ_n*n_e+μ_p*p)
Cette formule utilise 6 Variables
Conductivité Ohmique - (Mesuré en Siemens / mètre) - La conductivité ohmique est la mesure de la capacité d'un matériau à laisser passer le courant électrique. La conductivité électrique diffère d'un matériau à l'autre.
Charge - (Mesuré en Coulomb) - Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.
Mobilité du silicium dopé électroniquement - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité du silicium par dopage électronique caractérise la rapidité avec laquelle un électron peut se déplacer à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu'il est attiré par un champ électrique.
Concentration d'électrons - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration électronique est influencée par divers facteurs tels que la température, les impuretés ou les dopants ajoutés au matériau semi-conducteur et les champs électriques ou magnétiques externes.
Mobilité du silicium dopé par trous - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité du silicium dopé par trou est la capacité d'un trou à traverser un métal ou un semi-conducteur en présence d'un champ électrique appliqué.
Concentration des trous - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de trous implique un plus grand nombre de porteurs de charge disponibles dans le matériau, affectant sa conductivité et divers dispositifs semi-conducteurs.

(Calcul effectué en 00.020 secondes)