Figure de bruit de la bande latérale double Calculatrice

✖La température de diode est la mesure de la chaleur qui circule dans la diode préférentiellement dans une direction.ⓘ Température des diodes [T_d]			+10% -10%
✖La résistance de diode peut être définie comme l'opposition effective offerte par la diode au flux de courant qui la traverse.ⓘ Résistance des diodes [R_d]			+10% -10%
✖La résistance de sortie du générateur de signal est un paramètre de fonctionnement clé qui contrôle le générateur de signal de génération de courant lorsqu'il est utilisé comme source d'alimentation.ⓘ Résistance de sortie du générateur de signal [R_g]			+10% -10%
✖La température ambiante est la température de l'environnement.ⓘ Température ambiante [T₀]			+10% -10%

✖Facteur de bruit De la bande latérale double en décibels (dB) entre la sortie de bruit du récepteur réel et la sortie de bruit d'un récepteur "idéal" avec le même gain global et la même bande passante.ⓘ Figure de bruit de la bande latérale double [F_dsb]

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Figure de bruit de la bande latérale double Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Figure de bruit de la bande latérale double = 1+((Température des diodes*Résistance des diodes)/(Résistance de sortie du générateur de signal*Température ambiante))
F_dsb = 1+((T_d*R_d)/(R_g*T₀))
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Figure de bruit de la bande latérale double - (Mesuré en Décibel) - Facteur de bruit De la bande latérale double en décibels (dB) entre la sortie de bruit du récepteur réel et la sortie de bruit d'un récepteur "idéal" avec le même gain global et la même bande passante.
Température des diodes - (Mesuré en Kelvin) - La température de diode est la mesure de la chaleur qui circule dans la diode préférentiellement dans une direction.
Résistance des diodes - (Mesuré en Ohm) - La résistance de diode peut être définie comme l'opposition effective offerte par la diode au flux de courant qui la traverse.
Résistance de sortie du générateur de signal - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie du générateur de signal est un paramètre de fonctionnement clé qui contrôle le générateur de signal de génération de courant lorsqu'il est utilisé comme source d'alimentation.
Température ambiante - (Mesuré en Kelvin) - La température ambiante est la température de l'environnement.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Température des diodes: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Aucune conversion requise
Résistance des diodes: 210 Ohm --> 210 Ohm Aucune conversion requise
Résistance de sortie du générateur de signal: 33 Ohm --> 33 Ohm Aucune conversion requise
Température ambiante: 300 Kelvin --> 300 Kelvin Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

F_dsb = 1+((T_d*R_d)/(R_g*T₀)) --> 1+((290*210)/(33*300))

Évaluer ... ...

F_dsb = 7.15151515151515

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

7.15151515151515 Décibel --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

7.15151515151515 ≈ 7.151515 Décibel <-- Figure de bruit de la bande latérale double

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Bande passante utilisant le facteur de qualité dynamique

LaTeX Aller Bande passante = Facteur Q dynamique/(Fréquence angulaire*Résistance série de la diode)

Tension maximale appliquée à travers la diode

LaTeX Aller Tension appliquée maximale = Champ électrique maximal*Durée d'épuisement

Courant appliqué maximum à travers la diode

LaTeX Aller Courant appliqué maximal = Tension appliquée maximale/Impédance réactive

Impédance réactive

LaTeX Aller Impédance réactive = Tension appliquée maximale/Courant appliqué maximal

Figure de bruit de la bande latérale double Formule

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Qu'est-ce que le transistor homo-jonction?

Lorsque la jonction du transistor est reliée par deux matériaux similaires tels que le silicium au silicium ou le germanium au germanium, on parle de transistor à homo jonction.

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