NMOS comme résistance linéaire Calculatrice

✖La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%
✖La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à conduire dans la couche de surface d'un matériau lorsqu'ils sont soumis à un champ électrique.ⓘ Mobilité des électrons à la surface du canal [μ_n]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%
✖La largeur du canal fait référence à la quantité de bande passante disponible pour transmettre des données dans un canal de communication.ⓘ Largeur du canal [W_c]			+10% -10%
✖La tension de source de grille est la tension qui tombe aux bornes de la borne grille-source du transistor.ⓘ Tension de source de grille [V_gs]			+10% -10%
✖La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.ⓘ Tension de seuil [V_T]			+10% -10%

✖La résistance linéaire agit comme une résistance variable dans la région linéaire et comme une source de courant dans la région de saturation.ⓘ NMOS comme résistance linéaire [r_DS]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

NMOS comme résistance linéaire

Formule

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Exemple

7.960702 kΩ = \frac{3 μm}{2.2 m²/V*s \cdot 2.02 μF \cdot 10 μm \cdot (10.3 V - 1.82 V)}

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger MOSFET Formule PDF PDF Image

NMOS comme résistance linéaire Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))
r_DS = L/(μ_n*C_ox*W_c*(V_gs-V_T))
Cette formule utilise 7 Variables

Variables utilisées

Résistance linéaire - (Mesuré en Ohm) - La résistance linéaire agit comme une résistance variable dans la région linéaire et comme une source de courant dans la région de saturation.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.
Mobilité des électrons à la surface du canal - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à conduire dans la couche de surface d'un matériau lorsqu'ils sont soumis à un champ électrique.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.
Largeur du canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal fait référence à la quantité de bande passante disponible pour transmettre des données dans un canal de communication.
Tension de source de grille - (Mesuré en Volt) - La tension de source de grille est la tension qui tombe aux bornes de la borne grille-source du transistor.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Longueur du canal: 3 Micromètre --> 3E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Mobilité des électrons à la surface du canal: 2.2 Mètre carré par volt par seconde --> 2.2 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Capacité d'oxyde: 2.02 microfarades --> 2.02E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Largeur du canal: 10 Micromètre --> 1E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Tension de source de grille: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

r_DS = L/(μ_n*C_ox*W_c*(V_gs-V_T)) --> 3E-06/(2.2*2.02E-06*1E-05*(10.3-1.82))

Évaluer ... ...

r_DS = 7960.70173055041

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

7960.70173055041 Ohm -->7.96070173055041 Kilohm (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

7.96070173055041 ≈ 7.960702 Kilohm <-- Résistance linéaire

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Amélioration du canal N » NMOS comme résistance linéaire

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)

Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

NMOS comme résistance linéaire

Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

NMOS comme résistance linéaire Formule

Quelle est la condition pour utiliser le MOSFET comme résistance linéaire?

Lorsque vous augmentez lentement la tension de grille, le MOSFET commence lentement à conduire en entrant dans la région linéaire où il commence à développer une tension à travers lui que nous appelons V

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!