PGCD de trois nombres

Répartition nette des frais Calculatrice

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Jonction SSD Bande d'énergie et porteur de charge Électrons et trous Porteurs de semi-conducteurs

✖La concentration du donneur fait référence à la concentration ou à la densité des atomes donneurs dans un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration des donateurs [N_d]			+10% -10%
✖La concentration d'accepteur est la concentration d'un atome accepteur ou dopant qui, lorsqu'il est substitué dans un réseau semi-conducteur, forme une région de type p.ⓘ Concentration d'accepteur [N_a]			+10% -10%
✖La constante graduée donne la pente de la distribution nette des impuretés. C'est le taux entre différentes concentrations de dopage dans une région graduée près d'une jonction.ⓘ Constante graduée [G]			+10% -10%

✖La distribution nette est une représentation spatiale ou numérique de la quantité ou de la concentration nette d'une entité ou d'une propriété spécifique.ⓘ Répartition nette des frais [x]

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Formule

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Répartition nette des frais

Formule

x = \frac{N d - N a}{G}

Exemple

-0.075 = \frac{2.5e35 /m³ - 7.9e35 /m³}{7.2e36}

Calculatrice

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Répartition nette des frais Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Répartition nette = (Concentration des donateurs-Concentration d'accepteur)/Constante graduée
x = (N_d-N_a)/G
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Répartition nette - La distribution nette est une représentation spatiale ou numérique de la quantité ou de la concentration nette d'une entité ou d'une propriété spécifique.
Concentration des donateurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration du donneur fait référence à la concentration ou à la densité des atomes donneurs dans un matériau semi-conducteur.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur est la concentration d'un atome accepteur ou dopant qui, lorsqu'il est substitué dans un réseau semi-conducteur, forme une région de type p.
Constante graduée - La constante graduée donne la pente de la distribution nette des impuretés. C'est le taux entre différentes concentrations de dopage dans une région graduée près d'une jonction.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration des donateurs: 2.5E+35 1 par mètre cube --> 2.5E+35 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration d'accepteur: 7.9E+35 1 par mètre cube --> 7.9E+35 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Constante graduée: 7.2E+36 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

x = (N_d-N_a)/G --> (2.5E+35-7.9E+35)/7.2E+36

Évaluer ... ...

x = -0.075

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-0.075 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-0.075 <-- Répartition nette

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Capacité de jonction

Aller Capacité de jonction = (Zone de jonction/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Décalage de longueur constante*Concentration de dopage de la base)/(Tension source-Tension d'alimentation 1))

Résistance série en type P

Aller Résistance série dans la jonction P = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction N

Tension de jonction

Aller Tension de jonction = Tension source-(Résistance série dans la jonction P+Résistance série dans la jonction N)*Courant électrique

Largeur de type N

Aller Pénétration de charge de type N = Frais totaux de l'accepteur/(Zone de jonction*Concentration d'accepteur*[Charge-e])

Répartition nette des frais Formule

Répartition nette = (Concentration des donateurs-Concentration d'accepteur)/Constante graduée
x = (N_d-N_a)/G

Comment se forme une jonction semiconductrice ?

Les jonctions Pn sont formées en joignant des matériaux semi-conducteurs de type n et de type p, comme indiqué ci-dessous. Étant donné que la région de type n a une concentration élevée d'électrons et le type p une concentration élevée de trous, les électrons diffusent du côté de type n au côté de type p.

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