Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Tension de seuil supplémentaire à canal étroit = ((Paramètre empirique*Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat)/(Largeur de canal*Capacité d'oxyde par unité de surface))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentration d'accepteur*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potentiel des surfaces)))
ΔVT0(nc) = ((k*xdm)/(Wc*Coxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*NA*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φs)))
Cette formule utilise 3 Constantes, 2 Les fonctions, 7 Variables
Constantes utilisées
[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide Valeur prise comme 8.85E-12
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
Fonctions utilisées
sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
abs - La valeur absolue d'un nombre correspond à sa distance par rapport à zéro sur la droite numérique. Il s'agit toujours d'une valeur positive, car elle représente la grandeur d'un nombre sans tenir compte de sa direction., abs(Number)
Variables utilisées
Tension de seuil supplémentaire à canal étroit - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil supplémentaire à canal étroit est définie comme une contribution supplémentaire à la tension de seuil due aux effets de canal étroit dans le MOSFET.
Paramètre empirique - Un paramètre empirique est une constante ou une valeur utilisée dans un modèle, une équation ou une théorie qui est dérivée de l'expérience et de l'observation plutôt que déduite théoriquement.
Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat - (Mesuré en Mètre) - L'épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat fait référence à la profondeur de la région d'épuisement dans le substrat (en vrac) du MOSFET.
Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal est définie comme la largeur physique du canal semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.
Capacité d'oxyde par unité de surface - (Mesuré en Farad par mètre carré) - La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
Potentiel des surfaces - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Paramètre empirique: 1.57 --> Aucune conversion requise
Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat: 1.25 Micromètre --> 1.25E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Largeur de canal: 2.5 Micromètre --> 2.5E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Capacité d'oxyde par unité de surface: 0.0703 Microfarad par centimètre carré --> 0.000703 Farad par mètre carré (Vérifiez la conversion ​ici)
Concentration d'accepteur: 1E+16 1 par centimètre cube --> 1E+22 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ​ici)
Potentiel des surfaces: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
ΔVT0(nc) = ((k*xdm)/(Wc*Coxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*NA*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φs))) --> ((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(sqrt(2*[Charge-e]*1E+22*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*6.86)))
Évaluer ... ...
ΔVT0(nc) = 2.38246289976913
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
2.38246289976913 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
2.38246289976913 2.382463 Volt <-- Tension de seuil supplémentaire à canal étroit
(Calcul effectué en 00.018 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Priyanka Patel
Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai (PEMD), Ahmedabad
Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices

Coefficient d'effet corporel
​ LaTeX ​ Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))
Coefficient DIBL
​ LaTeX ​ Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source
Charge de canal
​ LaTeX ​ Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)
Tension critique
​ LaTeX ​ Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI Formule

​LaTeX ​Aller
Tension de seuil supplémentaire à canal étroit = ((Paramètre empirique*Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat)/(Largeur de canal*Capacité d'oxyde par unité de surface))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentration d'accepteur*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potentiel des surfaces)))
ΔVT0(nc) = ((k*xdm)/(Wc*Coxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*NA*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φs)))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!