Largeur de type N Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Pénétration de charge de type N = Frais totaux de l'accepteur/(Zone de jonction*Concentration d'accepteur*[Charge-e])
xno = |Q|/(Aj*Na*[Charge-e])
Cette formule utilise 1 Constantes, 4 Variables
Constantes utilisées
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
Variables utilisées
Pénétration de charge de type N - (Mesuré en Mètre) - La pénétration de charge de type N fait référence au phénomène par lequel des électrons supplémentaires provenant d'atomes dopants, généralement du phosphore ou de l'arsenic, pénètrent dans le réseau cristallin du matériau semi-conducteur.
Frais totaux de l'accepteur - (Mesuré en Coulomb) - La charge totale de l'accepteur fait référence à la charge nette globale associée aux atomes accepteurs dans un matériau ou un dispositif semi-conducteur.
Zone de jonction - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode pn.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur est la concentration d'un atome accepteur ou dopant qui, lorsqu'il est substitué dans un réseau semi-conducteur, forme une région de type p.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Frais totaux de l'accepteur: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Aucune conversion requise
Zone de jonction: 5401.3 Micromètre carré --> 5.4013E-09 Mètre carré (Vérifiez la conversion ​ici)
Concentration d'accepteur: 7.9E+35 1 par mètre cube --> 7.9E+35 1 par mètre cube Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
xno = |Q|/(Aj*Na*[Charge-e]) --> 13/(5.4013E-09*7.9E+35*[Charge-e])
Évaluer ... ...
xno = 1.90154922096807E-08
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1.90154922096807E-08 Mètre -->0.0190154922096807 Micromètre (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.0190154922096807 0.019015 Micromètre <-- Pénétration de charge de type N
(Calcul effectué en 00.021 secondes)

Crédits

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Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
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Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Jonction SSD Calculatrices

Capacité de jonction
​ LaTeX ​ Aller Capacité de jonction = (Zone de jonction/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Décalage de longueur constante*Concentration de dopage de la base)/(Tension source-Tension d'alimentation 1))
Résistance série en type P
​ LaTeX ​ Aller Résistance série dans la jonction P = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction N
Tension de jonction
​ LaTeX ​ Aller Tension de jonction = Tension source-(Résistance série dans la jonction P+Résistance série dans la jonction N)*Courant électrique
Largeur de type N
​ LaTeX ​ Aller Pénétration de charge de type N = Frais totaux de l'accepteur/(Zone de jonction*Concentration d'accepteur*[Charge-e])

Largeur de type N Formule

​LaTeX ​Aller
Pénétration de charge de type N = Frais totaux de l'accepteur/(Zone de jonction*Concentration d'accepteur*[Charge-e])
xno = |Q|/(Aj*Na*[Charge-e])

Qu'est-ce que les courants de diffusion et de dérive?

Le courant de dérive dépend du champ électrique appliqué, s'il n'y a pas de champ électrique, il n'y a pas de courant de dérive. Un courant de diffusion se produit même s'il n'y a pas de champ électrique appliqué au semi-conducteur.

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