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Fréquence de gain unitaire MOSFET Calculatrice

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✖La transconductance dans le MOSFET est un paramètre clé qui décrit la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie.ⓘ Transconductance dans MOSFET [g_m]			+10% -10%
✖La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Capacité de la source de porte [C_gs]			+10% -10%
✖La capacité de drain de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de drain de l'appareil.ⓘ Capacité de drainage de porte [C_gd]			+10% -10%

✖La fréquence de gain unitaire dans MOSFET fait référence à la fréquence à laquelle le gain de tension de l'appareil chute à 1 (0 dB) dans une configuration à source commune avec une charge résistive.ⓘ Fréquence de gain unitaire MOSFET [f_t]

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Fréquence de gain unitaire MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Fréquence de gain unitaire dans MOSFET - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de gain unitaire dans MOSFET fait référence à la fréquence à laquelle le gain de tension de l'appareil chute à 1 (0 dB) dans une configuration à source commune avec une charge résistive.
Transconductance dans MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance dans le MOSFET est un paramètre clé qui décrit la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie.
Capacité de la source de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).
Capacité de drainage de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité de drain de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de drain de l'appareil.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance dans MOSFET: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Aucune conversion requise
Capacité de la source de porte: 56 microfarades --> 5.6E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Capacité de drainage de porte: 2.8 microfarades --> 2.8E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Évaluer ... ...

f_t = 37414.9659863946

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

37414.9659863946 Hertz -->37.4149659863946 Kilohertz (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Kilohertz <-- Fréquence de gain unitaire dans MOSFET

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Effet corporel dans MOSFET

LaTeX Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

LaTeX Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Résistance du canal

LaTeX Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

LaTeX Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)

Fréquence de gain unitaire MOSFET Formule

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Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

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