Calculatrice A à Z
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Fabrication de circuits intégrés MOS
Déclencheur Schmitt
Fabrication de circuits intégrés bipolaires
✖
La transconductance dans le MOSFET est un paramètre clé qui décrit la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie.
ⓘ
Transconductance dans MOSFET [g
m
]
mégasiemens
Mho
Micromho
millisiemens
Siemens
+10%
-10%
✖
La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).
ⓘ
Capacité de la source de porte [C
gs
]
Farad
FemtoFarad
Kilofarad
microfarades
Millifarad
Nanofarad
picofarad
+10%
-10%
✖
La capacité de drain de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de drain de l'appareil.
ⓘ
Capacité de drainage de porte [C
gd
]
Farad
FemtoFarad
Kilofarad
microfarades
Millifarad
Nanofarad
picofarad
+10%
-10%
✖
La fréquence de gain unitaire dans MOSFET fait référence à la fréquence à laquelle le gain de tension de l'appareil chute à 1 (0 dB) dans une configuration à source commune avec une charge résistive.
ⓘ
Fréquence de gain unitaire MOSFET [f
t
]
Beats / Minute
Cycle / Seconde
Images par seconde
Gigahertz
Hectohertz
Hertz
Kilohertz
Mégahertz
Petahertz
Picohertz
Révolution par heure
Révolutions par minute
Révolution par seconde
Térahertz
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Fréquence de gain unitaire MOSFET
Formule
f
t
=
g
m
C
gs
+
C
gd
Exemple
37.41497 kHz
=
2.2 S
56 μF
+
2.8 μF
Calculatrice
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Fréquence de gain unitaire MOSFET Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Fréquence de gain unitaire dans MOSFET
=
Transconductance dans MOSFET
/(
Capacité de la source de porte
+
Capacité de drainage de porte
)
f
t
=
g
m
/(
C
gs
+
C
gd
)
Cette formule utilise
4
Variables
Variables utilisées
Fréquence de gain unitaire dans MOSFET
-
(Mesuré en Hertz)
- La fréquence de gain unitaire dans MOSFET fait référence à la fréquence à laquelle le gain de tension de l'appareil chute à 1 (0 dB) dans une configuration à source commune avec une charge résistive.
Transconductance dans MOSFET
-
(Mesuré en Siemens)
- La transconductance dans le MOSFET est un paramètre clé qui décrit la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie.
Capacité de la source de porte
-
(Mesuré en Farad)
- La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).
Capacité de drainage de porte
-
(Mesuré en Farad)
- La capacité de drain de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de drain de l'appareil.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Transconductance dans MOSFET:
2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Aucune conversion requise
Capacité de la source de porte:
56 microfarades --> 5.6E-05 Farad
(Vérifiez la conversion
ici
)
Capacité de drainage de porte:
2.8 microfarades --> 2.8E-06 Farad
(Vérifiez la conversion
ici
)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
f
t
= g
m
/(C
gs
+C
gd
) -->
2.2/(5.6E-05+2.8E-06)
Évaluer ... ...
f
t
= 37414.9659863946
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
37414.9659863946 Hertz -->37.4149659863946 Kilohertz
(Vérifiez la conversion
ici
)
RÉPONSE FINALE
37.4149659863946
≈
37.41497 Kilohertz
<--
Fréquence de gain unitaire dans MOSFET
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
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Fréquence de gain unitaire MOSFET
Crédits
Créé par
banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Vérifié par
Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices
Effet corporel dans MOSFET
Aller
Tension de seuil avec substrat
=
Tension de seuil avec polarisation de corps nulle
+
Paramètre d'effet corporel
*(
sqrt
(2*
Potentiel Fermi en vrac
+
Tension appliquée au corps
)-
sqrt
(2*
Potentiel Fermi en vrac
))
Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation
Aller
Courant de vidange
=
Paramètre de transconductance
/2*(
Tension de source de porte
-
Tension de seuil avec polarisation de corps nulle
)^2*(1+
Facteur de modulation de longueur de canal
*
Tension de source de drain
)
Résistance du canal
Aller
Résistance du canal
=
Longueur du transistor
/
Largeur du transistor
*1/(
Mobilité électronique
*
Densité des porteurs
)
Fréquence de gain unitaire MOSFET
Aller
Fréquence de gain unitaire dans MOSFET
=
Transconductance dans MOSFET
/(
Capacité de la source de porte
+
Capacité de drainage de porte
)
Voir plus >>
Fréquence de gain unitaire MOSFET Formule
Fréquence de gain unitaire dans MOSFET
=
Transconductance dans MOSFET
/(
Capacité de la source de porte
+
Capacité de drainage de porte
)
f
t
=
g
m
/(
C
gs
+
C
gd
)
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