Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge Calculatrice

✖La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%
✖Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la sourceⓘ Ratio d'aspect [WL]			+10% -10%
✖La tension de surmultiplication est un terme utilisé en électronique et fait référence au niveau de tension appliqué à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.ⓘ Tension de surmultiplication [V_ov]			+10% -10%

✖Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.ⓘ Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge [k'_n]

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Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Paramètre de transconductance de processus = Transconductance/(Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication)
k'_n = g_m/(WL*V_ov)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Paramètre de transconductance de processus - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Ratio d'aspect - Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source
Tension de surmultiplication - (Mesuré en Volt) - La tension de surmultiplication est un terme utilisé en électronique et fait référence au niveau de tension appliqué à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance: 0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Ratio d'aspect: 0.1 --> Aucune conversion requise
Tension de surmultiplication: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

k'_n = g_m/(WL*V_ov) --> 0.0005/(0.1*0.32)

Évaluer ... ...

k'_n = 0.015625

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.015625 Ampère par volt carré --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.015625 Ampère par volt carré <-- Paramètre de transconductance de processus

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< Transconductance Calculatrices

Transconductance donnée Process Transconductance Paramètre

LaTeX Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Transconductance donnée Courant de drain

LaTeX Aller Transconductance = sqrt(2*Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Courant de vidange)

Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge

LaTeX Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication

Drainer le courant à l'aide de la transconductance

LaTeX Aller Courant de vidange = (Tension de surmultiplication)*Transconductance/2

Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge Formule

LaTeX Aller

Paramètre de transconductance de processus = Transconductance/(Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication)
k'_n = g_m/(WL*V_ov)

Quelle est l'utilisation de la transconductance dans le MOSFET?

La transconductance est une expression des performances d'un transistor bipolaire ou d'un transistor à effet de champ (FET). En général, plus le chiffre de transconductance d'un dispositif est élevé, plus le gain (amplification) qu'il est capable de fournir est important, lorsque tous les autres facteurs sont maintenus constants.

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