Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde Calculatrice

Transconductance dans MOSFET = sqrt(2*Mobilité électronique*Capacité d'oxyde*(Largeur du transistor/Longueur du transistor)*Courant de vidange)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 6 Variables
sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)Transconductance dans MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance dans le MOSFET est un paramètre clé qui décrit la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie.
Mobilité électronique - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité électronique décrit la rapidité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le matériau en réponse à un champ électrique.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.
Largeur du transistor - (Mesuré en Mètre) - La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Longueur du transistor - (Mesuré en Mètre) - La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain fait référence au courant circulant entre les bornes de drain et de source du transistor lorsqu'il est en fonctionnement.

(Calcul effectué en 00.008 secondes)