MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect Calculatrice

✖La longueur du canal fait référence à la distance entre les bornes source et drain dans un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%
✖La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à traverser la surface d'un matériau semi-conducteur, tel qu'un canal en silicium dans un transistor.ⓘ Mobilité des électrons à la surface du canal [μ_s]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%
✖La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).ⓘ Largeur de canal [W_c]			+10% -10%
✖La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.ⓘ Tension efficace [V_eff]			+10% -10%

✖Résistance linéaire, la quantité d'opposition ou de résistance est directement proportionnelle à la quantité de courant qui la traverse, comme décrit par la loi d'Ohm.ⓘ MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect [R_ds]

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MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)
Cette formule utilise 6 Variables

Variables utilisées

Résistance linéaire - (Mesuré en Ohm) - Résistance linéaire, la quantité d'opposition ou de résistance est directement proportionnelle à la quantité de courant qui la traverse, comme décrit par la loi d'Ohm.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal fait référence à la distance entre les bornes source et drain dans un transistor à effet de champ (FET).
Mobilité des électrons à la surface du canal - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à traverser la surface d'un matériau semi-conducteur, tel qu'un canal en silicium dans un transistor.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.
Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).
Tension efficace - (Mesuré en Volt) - La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Longueur du canal: 100 Micromètre --> 0.0001 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Mobilité des électrons à la surface du canal: 38 Mètre carré par volt par seconde --> 38 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Capacité d'oxyde: 940 microfarades --> 0.00094 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Largeur de canal: 10 Micromètre --> 1E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Tension efficace: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff) --> 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7)

Évaluer ... ...

R_ds = 164.679533627561

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

164.679533627561 Ohm -->0.164679533627561 Kilohm (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.164679533627561 ≈ 0.16468 Kilohm <-- Résistance linéaire

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect

LaTeX Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace)

Résistance finie entre le drain et la source

LaTeX Aller Résistance finie = modulus(Tension CC positive)/Courant de vidange

Libre parcours moyen des électrons

LaTeX Aller Libre parcours moyen des électrons = 1/(Résistance de sortie*Courant de vidange)

Résistance de sortie de vidange

LaTeX Aller Résistance de sortie = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Courant de vidange)

MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect Formule

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Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)

Quelle est la condition pour utiliser le MOSFET comme résistance linéaire?

Lorsque vous augmentez lentement la tension de grille, le MOSFET commence lentement à conduire en entrant dans la région linéaire où il commence à développer une tension à travers lui que nous appelons V DS. Dans cette région, le MOSFET agit comme une résistance de valeur finie.

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