Mobilité à Mosfet Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Mobilité dans MOSFET = K Premier/Capacité de la couche d'oxyde de grille
μeff = Kp/Cox
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Mobilité dans MOSFET - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité dans le MOSFET est définie en fonction de la capacité d'un électron à se déplacer rapidement à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu'il est attiré par un champ électrique.
K Premier - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - K Prime est la constante de vitesse inverse de la réaction.
Capacité de la couche d'oxyde de grille - (Mesuré en Farad par mètre carré) - La capacité de la couche d'oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
K Premier: 4.502 Centimètre carré par volt seconde --> 0.0004502 Mètre carré par volt par seconde (Vérifiez la conversion ​ici)
Capacité de la couche d'oxyde de grille: 29.83 Microfarad par millimètre carré --> 29.83 Farad par mètre carré (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
μeff = Kp/Cox --> 0.0004502/29.83
Évaluer ... ...
μeff = 1.50921890714046E-05
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1.50921890714046E-05 Mètre carré par volt par seconde -->0.150921890714046 Centimètre carré par volt seconde (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.150921890714046 0.150922 Centimètre carré par volt seconde <-- Mobilité dans MOSFET
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices

Coefficient d'effet corporel
​ LaTeX ​ Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))
Coefficient DIBL
​ LaTeX ​ Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source
Charge de canal
​ LaTeX ​ Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)
Tension critique
​ LaTeX ​ Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Mobilité à Mosfet Formule

​LaTeX ​Aller
Mobilité dans MOSFET = K Premier/Capacité de la couche d'oxyde de grille
μeff = Kp/Cox

Comment la mobilité affecte-t-elle le fonctionnement du CMOS ?

La mobilité en CMOS fait référence au mouvement des porteurs de charge (électrons et trous) dans les canaux des transistors. Cela affecte le gain et l'inventaire de courant du transistor, d'où le fonctionnement global du circuit CMOS. La mobilité détermine la vitesse de commutation et la tension de grille applicable d'un transistor CMOS.

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