Calculatrice A à Z
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La transconductance du MESFET est un paramètre clé dans les MESFET, représentant la modification du courant de drain par rapport à la modification de la tension grille-source.
ⓘ
Transconductance du MESFET [G
m
]
Abmho
Ampere / Volt
Gemmho
Gigasiemens
Kilosiemens
mégasiemens
Mho
Micromho
Microsiemens
millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Conduit de Hall Quantifié
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).
ⓘ
Capacité de la source de porte [C
gs
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulombs / Volt
décafarad
décifarade
EMU de capacitance
ESU de capacitance
Exafarad
Farad
FemtoFarad
Gigafarad
Hectofarade
Kilofarad
Mégafarad
microfarades
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
picofarad
Statfarad
Térafarad
+10%
-10%
✖
La fréquence de coupure MESFET représente la fréquence à laquelle le gain de courant (ou transconductance) du transistor commence à diminuer de manière significative.
ⓘ
Fréquence de coupure MESFET [f
co
]
Attohertz
Beats / Minute
centihertz
Cycle / Seconde
Décahertz
Décihertz
Exahertz
Femtohertz
Images par seconde
Gigahertz
Hectohertz
Hertz
Kilohertz
Mégahertz
Microhertz
Millihertz
Nanohertz
Petahertz
Picohertz
Révolution par jour
Révolution par heure
Révolutions par minute
Révolution par seconde
Térahertz
Yottahertz
Zettahertz
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Fréquence de coupure MESFET
Formule
`"f"_{"co"} = "G"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`
Exemple
`"179.2539Hz"="0.063072S"/(2*pi*"56μF")`
Calculatrice
LaTeX
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Télécharger Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes Formule PDF
Fréquence de coupure MESFET Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Fréquence de coupure MESFET
=
Transconductance du MESFET
/(2*
pi
*
Capacité de la source de porte
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
Cette formule utilise
1
Constantes
,
3
Variables
Constantes utilisées
pi
- Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288
Variables utilisées
Fréquence de coupure MESFET
-
(Mesuré en Hertz)
- La fréquence de coupure MESFET représente la fréquence à laquelle le gain de courant (ou transconductance) du transistor commence à diminuer de manière significative.
Transconductance du MESFET
-
(Mesuré en Siemens)
- La transconductance du MESFET est un paramètre clé dans les MESFET, représentant la modification du courant de drain par rapport à la modification de la tension grille-source.
Capacité de la source de porte
-
(Mesuré en Farad)
- La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Transconductance du MESFET:
0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Aucune conversion requise
Capacité de la source de porte:
56 microfarades --> 5.6E-05 Farad
(Vérifiez la conversion
ici
)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
f
co
= G
m
/(2*pi*C
gs
) -->
0.063072/(2*
pi
*5.6E-05)
Évaluer ... ...
f
co
= 179.253938762358
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
179.253938762358 Hertz --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
179.253938762358
≈
179.2539 Hertz
<--
Fréquence de coupure MESFET
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
Tu es là
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Fréquence de coupure MESFET
Crédits
Créé par
banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Vérifié par
Dipanjona Mallick
Institut du patrimoine de technologie
(HITK)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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10+ Amplificateurs à transistors Calculatrices
Gain de puissance du convertisseur abaisseur compte tenu du facteur de dégradation
Aller
Gain de puissance du convertisseur abaisseur
=
Fréquence du signal
/
Fréquence de sortie
*(
Fréquence du signal
/
Fréquence de sortie
*(
Symbole de mérite
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Fréquence du signal
/
Fréquence de sortie
*(
Symbole de mérite
)^2)))^2
Gain du facteur de dégradation pour MESFET
Aller
Gain du facteur de dégradation
=
Fréquence de sortie
/
Fréquence du signal
*(
Fréquence du signal
/
Fréquence de sortie
*(
Symbole de mérite
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Fréquence du signal
/
Fréquence de sortie
*(
Symbole de mérite
)^2)))^2
Facteur de bruit GaAs MESFET
Aller
Facteur de bruit
= 1+2*
Fréquence angulaire
*
Capacité de la source de porte
/
Transconductance du MESFET
*
sqrt
((
Résistance à la source
-
Résistance de porte
)/
Résistance d'entrée
)
Fréquence de fonctionnement maximale
Aller
Fréquence de fonctionnement maximale
=
Fréquence de coupure MESFET
/2*
sqrt
(
Résistance aux fuites
/(
Résistance à la source
+
Résistance d'entrée
+
Résistance de métallisation de porte
))
Puissance maximale autorisée
Aller
Puissance maximale autorisée
= 1/(
Réactance
*
Fréquence limite du temps de transit
^2)*(
Champ électrique maximal
*
Vitesse maximale de dérive de saturation
/(2*
pi
))^2
Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes
Aller
Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes
= (
Fréquence limite du temps de transit
/
Fréquence de gain de puissance
)^2*
Impédance de sortie
/
Impédance d'entrée
Transconductance dans la région de saturation dans MESFET
Aller
Transconductance du MESFET
=
Conductance de sortie
*(1-
sqrt
((
Tension d'entrée
-
Tension de seuil
)/
Tension de pincement
))
Angle de transit
Aller
Angle de transit
=
Fréquence angulaire
*
Longueur de l'espace de dérive
/
Vitesse de dérive du transporteur
Fréquence de coupure MESFET
Aller
Fréquence de coupure MESFET
=
Transconductance du MESFET
/(2*
pi
*
Capacité de la source de porte
)
Fréquence maximale d'oscillation
Aller
Fréquence maximale d'oscillation
=
Vitesse de saturation
/(2*
pi
*
Longueur du canal
)
Fréquence de coupure MESFET Formule
Fréquence de coupure MESFET
=
Transconductance du MESFET
/(2*
pi
*
Capacité de la source de porte
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
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