Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes = (Fréquence limite du temps de transit/Fréquence de gain de puissance)^2*Impédance de sortie/Impédance d'entrée
Gmax = (fTC/f)^2*Zout/Zin
Cette formule utilise 5 Variables
Variables utilisées
Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes - Le gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes est la fréquence à laquelle le transistor fonctionne de manière optimale.
Fréquence limite du temps de transit - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de coupure du temps de transit est liée au temps nécessaire aux porteurs de charge (électrons ou trous) pour transiter à travers l'appareil.
Fréquence de gain de puissance - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de gain de puissance fait référence à la fréquence à laquelle le gain de puissance de l'appareil commence à diminuer.
Impédance de sortie - (Mesuré en Ohm) - L'impédance de sortie fait référence à l'impédance, ou à la résistance, qu'un appareil ou un circuit présente à la charge externe connectée à sa sortie.
Impédance d'entrée - (Mesuré en Ohm) - L'impédance d'entrée est l'impédance ou la résistance équivalente qu'un appareil ou un circuit présente à ses bornes d'entrée lorsqu'un signal est appliqué.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Fréquence limite du temps de transit: 2.08 Hertz --> 2.08 Hertz Aucune conversion requise
Fréquence de gain de puissance: 80 Hertz --> 80 Hertz Aucune conversion requise
Impédance de sortie: 0.27 Ohm --> 0.27 Ohm Aucune conversion requise
Impédance d'entrée: 5.4 Ohm --> 5.4 Ohm Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Gmax = (fTC/f)^2*Zout/Zin --> (2.08/80)^2*0.27/5.4
Évaluer ... ...
Gmax = 3.38E-05
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
3.38E-05 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
3.38E-05 3.4E-5 <-- Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Dipanjona Mallick
Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta
Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Amplificateurs à transistors Calculatrices

Fréquence de fonctionnement maximale
​ LaTeX ​ Aller Fréquence de fonctionnement maximale = Fréquence de coupure MESFET/2*sqrt(Résistance aux fuites/(Résistance à la source+Résistance d'entrée+Résistance de métallisation de porte))
Transconductance dans la région de saturation dans MESFET
​ LaTeX ​ Aller Transconductance du MESFET = Conductance de sortie*(1-sqrt((Tension d'entrée-Tension de seuil)/Tension de pincement))
Fréquence de coupure MESFET
​ LaTeX ​ Aller Fréquence de coupure MESFET = Transconductance du MESFET/(2*pi*Capacité de la source de porte)
Fréquence maximale d'oscillation
​ LaTeX ​ Aller Fréquence maximale d'oscillation = Vitesse de saturation/(2*pi*Longueur du canal)

Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes Formule

​LaTeX ​Aller
Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes = (Fréquence limite du temps de transit/Fréquence de gain de puissance)^2*Impédance de sortie/Impédance d'entrée
Gmax = (fTC/f)^2*Zout/Zin
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!