Profondeur d'épuisement maximale Calculatrice

Profondeur d'épuisement maximale = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potentiel Fermi en vrac))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur))
x_dm = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Φ_f))/([Charge-e]*N_A))
Cette formule utilise 2 Constantes, 2 Les fonctions, 3 Variables
[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
modulus - Le module d'un nombre est le reste lorsque ce nombre est divisé par un autre nombre., modulusProfondeur d'épuisement maximale - (Mesuré en Mètre) - La profondeur d'appauvrissement maximale fait référence à l'étendue maximale selon laquelle la région d'appauvrissement s'étend dans le matériau semi-conducteur du dispositif dans certaines conditions de fonctionnement.
Potentiel Fermi en vrac - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de Fermi en vrac est un paramètre qui décrit le potentiel électrostatique dans la masse (à l'intérieur) d'un matériau semi-conducteur.
Concentration dopante de l'accepteur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.

(Calcul effectué en 00.004 secondes)