Longueur de la jonction côté P Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Longueur de la jonction côté P = (Courant optique/([Charge-e]*Zone de jonction*Taux de génération optique))-(Largeur de transition de jonction+Longueur de diffusion de la région de transition)
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif)
Cette formule utilise 1 Constantes, 6 Variables
Constantes utilisées
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
Variables utilisées
Longueur de la jonction côté P - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la jonction du côté p est définie comme la longueur moyenne d'un porteur se déplaçant entre la génération et la recombinaison.
Courant optique - (Mesuré en Ampère) - Le courant optique est un capteur de courant pour mesurer le courant continu. En utilisant une fibre optique asymétrique autour du conducteur de courant.
Zone de jonction - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode pn.
Taux de génération optique - Génération optique Évaluez le nombre d'électrons générés à chaque point de l'appareil en raison de l'absorption des photons.
Largeur de transition de jonction - (Mesuré en Mètre) - La largeur de transition de jonction est définie comme la région spatiale sur laquelle la largeur de jonction passe d'une valeur à une autre.
Longueur de diffusion de la région de transition - (Mesuré en Mètre) - La longueur de diffusion de la région de transition est définie comme la longueur de diffusion est la distance moyenne que les porteurs en excès peuvent parcourir avant de se recombiner.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Courant optique: 0.135 Milliampère --> 0.000135 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
Zone de jonction: 5401.3 Micromètre carré --> 5.4013E-09 Mètre carré (Vérifiez la conversion ​ici)
Taux de génération optique: 2.9E+19 --> Aucune conversion requise
Largeur de transition de jonction: 0.025 Micromètre --> 2.5E-08 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Longueur de diffusion de la région de transition: 0.0056 Micromètre --> 5.6E-09 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif) --> (0.000135/([Charge-e]*5.4013E-09*2.9E+19))-(2.5E-08+5.6E-09)
Évaluer ... ...
Lp = 5379.31629748251
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
5379.31629748251 Mètre -->5379316297.48251 Micromètre (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
5379316297.48251 5.4E+9 Micromètre <-- Longueur de la jonction côté P
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
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Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Jonction SSD Calculatrices

Capacité de jonction
​ LaTeX ​ Aller Capacité de jonction = (Zone de jonction/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Décalage de longueur constante*Concentration de dopage de la base)/(Tension source-Tension d'alimentation 1))
Résistance série en type P
​ LaTeX ​ Aller Résistance série dans la jonction P = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction N
Tension de jonction
​ LaTeX ​ Aller Tension de jonction = Tension source-(Résistance série dans la jonction P+Résistance série dans la jonction N)*Courant électrique
Largeur de type N
​ LaTeX ​ Aller Pénétration de charge de type N = Frais totaux de l'accepteur/(Zone de jonction*Concentration d'accepteur*[Charge-e])

Longueur de la jonction côté P Formule

​LaTeX ​Aller
Longueur de la jonction côté P = (Courant optique/([Charge-e]*Zone de jonction*Taux de génération optique))-(Largeur de transition de jonction+Longueur de diffusion de la région de transition)
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif)

Quelle est la largeur de la jonction pn ?

La largeur physique de la région d'appauvrissement dans une diode Si typique va d'une fraction de micromètre à des dizaines de micromètres en fonction de la géométrie du dispositif, du profil de dopage et de la polarisation externe. Illustration 11.4. Représentation simplifiée d'une jonction pn.

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