Calculateur PPCM

K-Prime Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI Conception VLSI analogique

✖La mobilité dans le MOSFET est définie en fonction de la capacité d'un électron à se déplacer rapidement à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu'il est attiré par un champ électrique.ⓘ Mobilité dans MOSFET [μ_eff]			+10% -10%
✖La capacité de la couche d'oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.ⓘ Capacité de la couche d'oxyde de grille [C_ox]			+10% -10%

✖K Prime est la constante de vitesse inverse de la réaction.ⓘ K-Prime [K_p]

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K-Prime Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

K Premier = Mobilité dans MOSFET*Capacité de la couche d'oxyde de grille
K_p = μ_eff*C_ox
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

K Premier - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - K Prime est la constante de vitesse inverse de la réaction.
Mobilité dans MOSFET - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité dans le MOSFET est définie en fonction de la capacité d'un électron à se déplacer rapidement à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu'il est attiré par un champ électrique.
Capacité de la couche d'oxyde de grille - (Mesuré en Farad par mètre carré) - La capacité de la couche d'oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Mobilité dans MOSFET: 0.15 Centimètre carré par volt seconde --> 1.5E-05 Mètre carré par volt par seconde (Vérifiez la conversion ici)
Capacité de la couche d'oxyde de grille: 29.83 Microfarad par millimètre carré --> 29.83 Farad par mètre carré (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

K_p = μ_eff*C_ox --> 1.5E-05*29.83

Évaluer ... ...

K_p = 0.00044745

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00044745 Mètre carré par volt par seconde -->4.4745 Centimètre carré par volt seconde (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

4.4745 Centimètre carré par volt seconde <-- K Premier

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Coefficient d'effet corporel

LaTeX Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Coefficient DIBL

LaTeX Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Charge de canal

LaTeX Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension critique

LaTeX Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

K-Prime Formule

LaTeX Aller

K Premier = Mobilité dans MOSFET*Capacité de la couche d'oxyde de grille
K_p = μ_eff*C_ox

Qu'est-ce que le transistor?

En électronique, un transistor est un dispositif semi-conducteur couramment utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Le transistor est la pierre angulaire des ordinateurs et de tous les autres appareils électroniques modernes. Certains transistors sont emballés individuellement mais la plupart se trouvent dans des circuits intégrés.

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